Ti掺杂SnO2半导体固溶体的第一性原理研究.pdf

V01．33 高等学校化学学报 No．5 2012年5月 CHEMICALJOURNALOFCHINESEUNIVERSmES 1050—1056 Ti掺杂Sn02半导体固溶体的第一性原理研究 贾金乾1，解学佳1，梁镇海1，张小超1，樊彩梅1，韩培德2 (1．太原理工大学化学化工学院，2．材料科学与工程学院，太原030024) 摘要Ti掺杂SnO：固溶体是钛基氧化物耐酸阳极的重要组成部分．采用基于密度泛函理论的第一性原理对 态密度和电荷密度以及晶格参数的变化．结果表明，Ti掺人Sn02晶格后，其晶格参数随组分增加近似呈直 线降低，Ti—O键的共价性强于sn—o键．掺杂后带隙仍为直接带隙，且随着掺杂比例的增加，带隙逐渐减 小．当掺杂比例x=0．5时，形成能达到最低值(-6．1leV)，固溶体最稳定．本文的计算结果为钛基氧化物电 极材料的研究与开发提供了一定的理论依据． 关键词密度泛函理论；Sn。。Ti：O：固溶体；形成能；电子结构 中图分类号0641 文献标识码A DOI：10．3969／j．issn．0251-0790．2012．05．034 stable Anode，DSA)是20世纪氯碱工业的重大发现，随后国内外研 尺寸稳定性阳极(Dimensionally 究者将钛基氧化物电极引入酸性溶液中作为耐酸阳极，但迄今耐酸阳极的研究仍处于起步阶段¨。J． 为了使钛基氧化物电极尽快产业化，钛基体表面二氧化钛与其它氧化物所形成固溶体的稳定性、导电 性是决定该类耐酸阳极性能优劣的关键因素．然而目前对该类固溶体的形成机理、稳定性及导电性的 理论研究工作较少，而基于密度泛函理论的第一性原理”“1可以从结构理论上探讨上述问题的本质原 meV【7 eV，激子束缚能为130 因．SnO：是一种金红石结构的宽带隙半导体材料，室温下带隙为3．36 J， 由于SnO：具有优良的电学、光学和压电性质，因此在液晶显示、有机半导体仪器中的有效电极及太阳 能电池等很多领域中具有广泛应用婵，o．“u等¨叫利用第一性原理计算了SnO：与SnO的电子结构与光 学性质；Liang等¨1J利用第一性原理计算了Sb掺杂SnO：的电子结构，分析了锑掺杂二氧化锡后的导 了Sn掺杂锐钛矿相TiO：的晶格常数和电子结构．然而，采用第一性原理方法计算Ti掺杂的金红石型 SnO：固溶体的电子结构和稳定性分析方面的工作尚未见报道． 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理平面赝势波对SnhTi；0：固溶体电子结构和形成能进行 了计算，旨在为钛基氧化物电极材料的研究与开发提供一定的理论依据． 1计算模型及方法 · 1．1理论模型 0．474 nm，c=0．318 nm，理=p=7=900，芦=0．307114J．其原胞包含2个Sn原子和4个0原子，其中sn Sn02同属四方晶系，晶格常数相近(ri02：a=b=O．459am，c=O．296nnl，a=口=7=900)，可形成固溶 体．因此对于xO的掺杂，计算中采用超晶胞形式，用1个Ti原子同构替换SnO：超晶胞中心的1个 sn原子，其中sn。，Ti。，0：原胞模型如图1(B)所示． 收稿El期：2011—10—12． 基金项目：国家自然科学基金(批准号21176168)资助． 联系人简介：粱镇海。男，博士，教授，博士生导师，主要从事电极材料研究．E-mail：lian础enh@sim．㈣ 万方数据 贾金乾等：Ti掺杂SnO：半导体固溶体的第一性原理研究 Models cell solid Fig