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一种超低功耗能隙源设计及其电源噪声抑制分析.pdf
第 卷第 期 半 导 体 学 报
25 11 VO1. 25 NO. 11
年 月
2004 11 HINESE JOURNAL OF SEMI ONDU TORS NOV. 2004
=================================================================
一种超低功耗能隙源设计及其电源噪声抑制分析e
1 1 2 1
李 强 韩益锋 谢文录 闵 昊
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 上海
(1 200433)
上海华虹集成电路有限责任公司 上海
(2 201203)
摘要 对一种超低功耗能隙源的电源噪声抑制进行了分析 给出了简单而又有效的频域分析模型 并将其电源噪声
: .
抑制实测结果与频域分析模型理论结果及其 仿真结果进行比较 在 工艺流片实现了
SPI E . harted 0. 35pm MOS
这一结构的能隙源 实测最低工作电压为1. 3V 工作电流为7. 8pA 基准电压为500mV 温度系数为40ppm/ 芯片
面积为0. 06mm2 . 最后提出了本结构能隙源提高电源噪声抑制的方法.
关键词 能隙源 超低功耗 电源噪声抑制
: ; ;
EEACC : 1205 ; 1290
中图分类号: TN 402 文献标识码: A 文章编号: 0253-4177(2004) 11-1474-05
1 引言 z 低电源电压能隙源电路
能隙源由于其高精度及低温度系数的特性 被 随着 设计工艺向深亚微米发展 电源电
MOS
广泛应用于模拟及数字电路系统中 早期的能隙源 压在 以下 传统结构的能隙源已经不能满足电
. 1. 8V
电源电压一般在 输出基准电压在 附 源电压降低的要求 近几年陆续出现了几种低电源
3~ 5V 1. 25V .
近[1 2] 随着 设计向着深亚微米工艺发展 能隙源 电压工作的能隙源[3 4] 其中典型结构的原理如图1
. I
电源电压
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