SO1Gel法硅基PZT铁电薄膜研究.pdfVIP

文章编号：1001—9731(2001)03一0252一D2。 Sol—Gel法硅基PZT铁电薄膜研究‘ 张林涛，任天令，张武垒，刘理天，李志坚 (清华大学微电子所，北京l00084) 摘要：介绍了以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四T酯为原料用溶胶 2．2匀肢 一凝胶(sol—gel)方法在硅衬底上删备Pb(Zro¨Ti洲)Os(PzT)铁衬底选用清洁的硅片，经过不同的处理后形成两种形式的 电薄膜的工艺流程。对铁电薄膜的表面形貌、晶化程度、界面状 底电极：一种是溅射在热氧化生成的siO。上的金属钛铂层，另 态等性质进行了分析，结果表明硅基PzT薄膜形成了盘好的钙 一种是经扩散掺杂形成的低阻硅。然后把配好的溶胶用匀胶机 敞矿结构。并在此基础上实现了制备PzT铰电薄膜的低温改 以3000r／min，30s均匀旋涂在有不同底电极的村底表面。 进工艺。 2．3热处理 关键词：so卜gel法；PzT；铁电薄膜 中周分类号：TM22．1；TN43文献标识码：A 初步致密与晶化。多次重复匀胶、热处理等步骤即可获得所需 l 引 蟊 厚度的薄膜。 铁电薄膜材料因其优越的介电、压电、铁电、热释电、电光、 2．4退火 声光及非线性光学性能而受到各方面的高度重视。PzT铁电 薄膜是其中非常重要的一种，已在非挥发存储器、微执行器、微 矿结构，即可得到PZl’铁电薄膜。 传感器等众多领域得到广泛应用。目前常用的制各PzT铁电 3实验测试结果与分析 薄膜的方法有sol—gel、射频磁控溅射，金属有机物化学气相淀积 (M0cVD)、脉冲激光沉积(PLD)、分子柬外延(MBE)等【1叫]。3．1表观形貌分析 其中so卜gel法制各PzT铁电薄膜有着设备简单易操作．组分可 精确控制的优势，是一种极常用的籼各铁电薄膜的方法。一般 s0卜gel法制备PzT铁电薄膜时需要在有～层si0。的硅衬底上 预先溅射钛铂金属层．一方面作为底电极，另一方面作为阻挡层 防止PzT与衬底硅之间的界面反应产生界面态从而影响铁电 没有出现针孔、断裂等现象，可以有效起到阻挡层的作用。 薄膜的性能“3。我们用s01_gel法分别在金属钛铂层和纯硅衬 底上制备了PzT铁电薄膜，通过实验检验了薄膜的铁电性。同 时为了改善so卜gel法与Ic工艺的兼容性，在PzT与衬底间加 人PbTi()。(PT)过渡层，以降低薄膜的遇火温度。 2 Sol—Gel法的工艺流程 So卜geI法制各13zT铁电薄膜的工艺流程如下所述。 图1 PzT／si和PzT／Pt结构的扫描电镜照片 l SEM crossscctionofPZT／Siand 2．1配肢 Fig micrographsshowing 尾外在用so卜gd法制备Pz，r铁电膜时常用丙醇锆等有机 l’2|T／Pt 锆醇盐为原料“j，但是锆的醇盐成本较高且在国内没有商品化。 3．2 x射线衍射(XRD)分析 我们在配制PzT溶胶时用硝酸锆代替话的醇盐引A锆，这是因 采用日本理学公司的D／MAxRB型x射线衍射仪对两种 为硝酸锆可以溶于某些有机溶剂。溶胶的主要原料是硝酸锆、 醋酸铅，钛酸匹丁酯，溶剂为丁醇。溶解过程中可采用搅拌、超 声分散等方法加速溶解并碱小胶体颗粒半径。溶胶中铅、锆、钛 (Pb／zr／Ti)的摩尔比为106／53／47，其中铅的成分稍过量是为 了弥补铅在高温处理时的挥发散失．牿、钛古量之比定为53／47铁电薄膜的取向起着主要作用。(100)晶向的硅衬底．其上生长 是盟为此对PzT处于相界附近，相对介电常数等参数达到是大 值。 t基盒项目：国家自然科学基金资助项目 收藕日觏-2000—oz—14 25Z 万方数据 铁电薄膜则以(111)品向为主，(111)晶向的衍射峰(39。)强度明