ch4-电磁波的传播.ppt

电磁波沿方向传播 z 轴从传播，b 不可取负值， 对良导体 ，有 穿透深度 对高频电磁波，电场、磁场和电流均存在趋肤效应。 对于铜，当频率为50Hz 时， ；当频率为100MHz 时， 。 对于垂直入射的单一频率电磁波，由Maxwell方程 导体内电场和磁场的关系 良导体情形（ ）， 磁场相位比电场滞后p/4； ，磁场的作用远比电场重要。 讨论简单情形：电磁波从真空垂直入射到导体表面，电场垂直于入射面。 在导体内（介质2） 作替换 后，应认为无传导电流（ 描述了电流）。 界面附近的切向边值关系 对于入射波 对于反射波 对于透射波（在导体中） 对于非铁磁性导体 ，从边值关系 对良导体( ): 与电场边值关系联立，可得 定义反射系数 对于良导体可把 作为小量（因为 与 同量级）， s 越大，R 越接近1； w 越小（l 越大），R 越接近1。 微波或无线电波的频率很小，一般金属均可近似看作理想 导体（ ），电磁波近似全部反射（如微波炉）。 进入导体的电磁波诱导传导电流，传导电流激发的电磁场将减弱原电磁场（否则不稳定），使导体内电磁场迅速衰减，电磁波只能透入导体表面薄层。薄层厚度与w 和s 有关。w 或s 越大，厚度越小。导体内诱导的传导电流激发电磁场形成反射电磁波。反射波强度接近入射波，对于良导体，入射波能量几乎全部反射。同时，实际导体有焦耳热损耗，电磁波能量部分耗散，一般情况，良导体吸收很少部分电磁波能量。 设入射波矢为 ，有 对良导体 导体内波矢 而 选入射面为xz 面 （ 与 同级， ） 又 略去 且 垂直于表面， 接近法线方向，穿透深度由 给出。 证明对于良导体，在非垂直入射时有 趋肤效应使电流分布于表面薄层，这样的电流分布可看成面电流分布（把薄层压缩到导体表面），用线电流密度描述电流面分布。 线电流密度 定义为：通过单位横截线的电流。 与电流密度的关系 考虑垂直入射，导体内电磁波 高频下良导体的表面电阻。 令 其中 平均损耗功率密度 平均损耗功率面密度 对于良导体 良导体在高频下的电阻相当于厚度为 d 的薄层直流电阻。 右图为一薄层直流电阻 考虑一简谐变化的面电流，其线密度 耗散功率（单位时间的焦耳热损耗） 平均耗散功率 表面平均损耗功率面密度 电场能量与磁场能量相互转换， 提高振荡频率，需减小C 或 L 。1）C 减小，极板面积减小，电容器越难将电场束缚在板间，能量将向外辐射将变强。2）L 减小，线圈长度(或密度）越小，向外辐射的能量越多。 LC 回路只能产生低频振荡。 §4 谐振腔 振荡频率 如何产生高频振荡？ 理想导体s 趋于无穷，穿透深度趋于0，电磁波被全部反射，理想导体构成电磁波存在的边界。 在介质一侧，E 的切向分量为0，B 的法向分量为0。即在理想导体表面，电力线与表面垂直，磁感应线与表面相切。 对单一频率电磁波，Maxwell方程只有两个是独立的。边界条件其实也只有两个独立。 对于线性介质，在介质一侧， 无限大平行导体板间传播TEM波。 选平面电磁波传播方向为 z 方向，选电场的两个基本偏振方向为x 和y 方向。由边值关系，只允许电场沿y 方向偏振，磁场沿x 方向偏振。无限大平行板间只能传播一种偏振的TEM平面波。 考察对象：由理想导体构成的矩形腔。 空间部分满足Helmholtz方程 其三个分量方程记为 表示电场分量 中的一个。 对单一频率电磁波 用分离变量法求解，令 分别只与 有关。 保持 和 不变，改变 ，由于右端是常数，所以 应是与 无关的常数，设为 1）若 ，方程的解为 它在 x 方向不是平面波，物理上不合理，舍弃。 2）若 ，令 同理， 或写为复数形式 其中 可以是 中的任一个，设是 ，考虑其复数形式 ， 在 x=0 表面 在 z=0 表面 在 y=0 表面 要求对任意 x、y 成立， 同理 波矢的确定 （m 取整数） 利用 和 两表面附