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LED显示技术 LED显示技术 发光二极管及发光二极管显示器 LED用材料及发光机制 LED制作工艺 各种LED及其特性 LED显示器的各种用途及发展前景 LED的其它应用 研究课题与展望 发光二极管及发光二极管显示器 发光二极管 由半导体制作的二极管的一种， 所谓发光二极管是加正向电压时，有电流注入，电子与空穴复合，其一部分能量变换为光并发射的二极管。 工作状态稳定，可靠，寿命105h以上。 驱动电压低，功耗小，尺寸数百微米 发光光谱窄，发光颜色范围宽 做成显示灯、数码显示元件，广告牌，股票显示板，运动场显示板等 LED芯片,指示灯,数字显示元件的基本构造 LED用材料及发光机制 晶体结构及能带结构 发光机制及发光波长 电流注入与发光 发光效率、光输出及亮度 变频特性 LED与激光二极管 晶体结构及能带结构 作为LED用材料，一般多选用化合物半导体单晶材料，要求： 电子空穴输运效率高 复合释放能量与所需波长相对应 晶体中电子可能存在的能态： 价带：参与原子间键合的电子可能存在的能带 导带：脱离原子束缚在晶体内自由运动的电子可能存在的能带； 禁带：位于价带和导带直接，不存在电子的能带 直接带结构半导体，直接跃迁 II - VI族化合物中的ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe. CdS, CdSe和CdTe； III-V族化合物中的GaN, GaAs,GaSb和InP等； 在这类半导体中发生的光学跃迁为直接跃迁 ： 间接带结构半导体，间接跃迁 IV族半导体Si. Ge, III-V族化合物中的AlAs和GaP等都是间接带结构半导体， 在这类半导体中发生的光学跃迁为间接跃迁，这种跃迁一般需要声子的参与，才能满足动量守恒。 与直接光学跃迁相比，间接跃迁的概率要低得多， 混晶能带调整 直接带跃迁型GaAs,发光波长870，通过与间接带跃迁型AlAs构成混晶，禁带宽度大的三元化合物AlxGa1-xAs，从而得到可见发光。 等电子陷阱 GaAs1-xPx: N 发光机制及发光波长 发光波长由复合前电子与空穴的能量差决定 对直接跃迁型材料，发光波长决定于禁带宽度，为了得到可见光，Eg必须在1.6eV以上 由于能带中的导带价带都为抛物线形状，因此发光谱有加宽，半高宽一般为30～50nm。 电流注入与发光 实际LED结构属于P-N结发光 例如GaAs，掺入Zn成为P型，掺Te成为N型 发光效率、光输出及亮度 内量子效率、外量子效率，且外量子效率低于内量子效率 市售LED产品的外部量子效率，红色的大约为15%，从黄色到绿色的则在0.3％～1%范围内，蓝色的大约为3％。 LED的发光效率可表示为载流子向P-N结的注入效率、内量子效率、光萃取效率的乘积 提高措施有让光通过吸收率小的N型半导体；在晶体表面涂覆高折射率的薄膜等以防止晶体表面反射。 对于显示用可见光LED,考虑流明效率。光度：考虑人眼视觉特性的辉度指标。 变频特性 LED中变频速度主要决定于载流子的寿命 从载流子注入，经过复合到载流子消失所用时间 随注入电流的变换加速，载流子密度逐渐不能追随注入电流的变化，响应速度变慢，发光强度下降， 当高周波时的发光强度降低1.5dB时的周波数称为截止周波数fc。 在LED中，发光强度与截止周波数折衷处理。 高辉度可见光LED中，截止周波数在1MHz上下； 在要求高速响应的光通讯用红外LED中，截止周波数从数十兆赫兹到100MHz以上。 LED与激光二极管 结构： 双异质结，中间为直接带结构的活性层，两侧为宽禁带、低折射率的材料。 输出特性： 方向性好，干涉性好，谱线窄 应用领域： 光纤通信、光学测量、光谱存储、激光打印等 LED的制作工艺 单晶制作技术 外延技术 掺杂技术 元件制作及组装技术 单晶制作技术 液体保护旋转提拉法（液体保护切克劳斯基（Czo- chralski）法或LEC法） 原料为多晶（纯度 5N），利用籽晶拉制单晶，直径可自动控制。 可用于GaP单晶生长 单晶制作技术 水平布里奇曼（Bridgman）法（HB法或舟皿生长法 温度分布采用3区法和梯度法 可制作GaAs单晶，GaAsP和GaAlAs多使用。 外延技术 用于在单晶基板上生成发光层 液相外延（Liquid phase epitaxy,LPE） 气相外延（Vapor phase epitaxy,VPE） 分子束外延(molecular beam epitaxy,MBE 有机金属化学气相沉积（metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD） 液相外延（LPE） 利用溶解度相对于温度的变化，通过饱和溶液的冷却，使过饱和的溶质部分在基板表面析出的方法。 旋转舟相比滑动舟处理效率高， 共同缺点是膜厚及组成