第四章 场效应管及基本放大电路.pptVIP

1.结构（以N沟道JFET为例） 4.2　绝缘栅型场效应管MOSFET 绝缘栅型场效应管特性曲线 各种场效应管所加偏压极性小结 4.4 FET的交流参数和小信号模型4.4.1 　FET的主要交流参数 　 1） 低频跨导gm：低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 * 1. 从物理意义上解释低通电路 2. 稳态分析方法 3. 增益与传递函数 4. 复数的模与相角 4.1 结型场效应管 ? 结构 ? 工作原理 ? 输出特性 ? 转移特性 ? 主要参数 4.1.1 JFET的结构和工作原理 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 2. 工作原理 ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? VGS继续减小，沟道继续变窄 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时， VDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时VDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? ID基本不变 ? ③ VGS和VDS同时作用时 当VP VGS0 时， 导电沟道更容易夹断， 对于同样的VDS ， ID的值比VGS=0时的值要小。 在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VP 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 # JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？ 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 VP 1. 输出特性 uGD=UGS(off)时称为预夹断 夹断电压 uGD=UGS(off)时称为预夹断 夹断电压 ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 或 3. 主要参数 漏极电流约为零时的VGS值 。 VGS=0时对应的漏极电流。 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 ④ 输出电阻rd： 反型层 uDS 不变，uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚。当反型层将两个N区相接时，管子导通。 1.　N沟道增强型管 SiO2绝缘层 　2.　耗尽型管（考试不要求） 加正离子 uGS=0时就存在导电沟道。 1)增强型MOS管 2)耗尽型MOS管 开启电压 1. 直流偏置电路 4.3 FET的直流偏置电路及静态分析 （1）自给偏压电路 vGS vGS = - iDR （2）混合偏压电路 2. 静态工作点 Q点： VGS 、 ID 、 VDS vGS = VDS = 已知VP ，由 VDD - ID (Rd + R ) - iDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 或 3. 主要参数 漏极电流约为零时的VGS值 。 VGS=0时对应的漏极电流。 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 ④ 输出电阻rd： 3. 主要参数 ⑤ 直流输入电阻RGS： 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS FET放大电路组成原则及分析方法 (1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，FET的偏置电路相对简单。 (2) 动态：能为交流信号提供通路。 组成原则： 静态分析： 估算法、图解法。 动态分析： 　小信号等效电路法。 分析方法： 1. 直流偏置电路 4.3 FET的直流偏置电路及静态分析 （1）自给偏压电路 vGS vGS = - iDR （2）混合偏压电路