数字电路课件第三章_清华1.pptVIP

半导体基础知识（1） 本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体。 常用：硅Si，锗Ge 半导体基础知识（2） 杂质半导体 N型半导体 多子：自由电子 少子：空穴 半导体基础知识（2） 杂质半导体 P型半导体 多子：空穴 少子：自由电子 半导体基础知识（3） PN结的形成 空间电荷区（耗尽层） 扩散和漂移 半导体基础知识（4） PN结的单向导电性 外加正向电压 半导体基础知识（4） PN结的单向导电性 外加反向电压 半导体基础知识（5） PN结的伏安特性 第三章 门电路 3.1 概述 门电路：实现基本运算、复合运算的单元电路，如与门、与非门、或门 ······ 获得高、低电平的基本原理 理想开关 导通时，内阻为0； 断开时，阻抗为穷大； 转换瞬间完成，即开关时间为0。 正逻辑：高电平表示1，低电平表示0负逻辑：高电平表示0，低电平表示1 3.2半导体二极管门电路 3.2.1二极管的开关特性： 二极管的动态电流波形： 3.2.2 二极管与门 3.2.3 二极管或门 二极管构成的门电路的缺点 电平有偏移（输入与输出电平不同） 带负载能力差 所以只用于IC内部电路 3.3 CMOS门电路 一、MOS管的结构 以N沟道增强型为例： 二、输入特性和输出特性 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区 恒流区 可变电阻区 截止区：VGSVGS(th)，iD = 0, ROFF 109Ω 恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大 可变电阻区：当VDS 较低（近似为0），VGS 一定时 三、MOS管的基本开关电路 四、等效电路 五、MOS管的四种类型 N沟道增强型 P沟道增强型 N沟道耗尽型 P沟道耗尽型 3.3.2 CMOS反相器 一、电路结构 二、传输特性 三、输入噪声容限 3.3.3 CMOS 反相器的静态特性 一、输入特性 二、输出特性 二、输出特性 3.3.4 CMOS反相器的动态特性 一、传输延迟时间 二、交流噪声容限 三、动态功耗 3.3.5 其他类型的CMOS门电路 2、 CMOS或非门 3、带缓冲极的CMOS门 1、与非门 带缓冲极的CMOS门 2.解决方法：输入、输出端个增设一级反相极 二、漏极开路的门电路（OD门） 三、 CMOS传输门及双向模拟开关 1. 传输门 四、三态输出门 三态门的用途 从供电电源区分： 5VCMOS门电路和3.3VCMOS门电路两种。 3.3VCMOS门电路是最近发展起来的,它的功耗比5VCMOS门电路低得多。 同TTL门电路一样,CMOS门电路也有74和54两大系列。 74系列5VCMOS门电路的基本子系列如下： a、74HC和74HCT：高速CMOS(Highspeed CMOS),T表示和TTL直接兼容。 b、74AC和74ACT：先进CMOS c、74AHC和74AHCT：先进高速CMOS 74系列3.3VCMOS门电路的基本子系列如下： a、74LVC：低压CMOS b、74ALVC:先进低压 输入特性：直流电流为0，看进去有一个输入电容CI，对动态有影响。 输出特性： iD = f (VDS) 对应不同的VGS下得一族曲线 。 输入回路 输出回路 这个电阻受VGS 控制、可变。 漏极和源极之间看作是一个受栅极电压控制的开关 OFF ，截止状态 ON，导通状态 PMOS NMOS 注意：PMOS管利用负电源工作，开启电压为负值。 P TH GS DD I N TH GS OL O P TH GS DD I DD OH O N TH GS I T T T T V V V V BC V V T T V V V CD V V V T T V V AB 0 2 1 2 1 1 2 2 1 - * = = T - * = = T * DD O DD I V V V V 2 1 2 1 = = 时， 参数完全对称， 若 同时导通 段： 截止 导通， 段： 截止 导通， 段： , , ) ( ) ( ) ( ) ( 电压传输特性 电流传输特性 在保证输出高电平不变的条件下，允许叠加在输入低电平的最大噪声电压称为低电平噪声容限。 在保证输出低电平不变的条件下，允许叠加在输入高电平的最大噪声电压称为高电平噪声容限。 从以上分析看出，CMOS电路有以下特点： ① 静态功耗低。CMOS反相器稳定工作时总是有一个MOS管处于截止状态，流过的电流为极小的漏电流，因而静态功耗很低，有利于提高集成度。 ② 抗干扰能力强。由于其阈值电压UT=1/2UDD，在输入信号变化时，过渡区变化陡峭，所以低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等。约为0.45UDD。同