电子科学与技术专业英语翻译(微电子分册)3.3VaporPhase Epitaxy.docVIP

3.3 Vapor-Phase Epitaxy(气相外延) 一个外延工艺，衬底晶片籽晶。外延工艺与熔体生长工艺的不同在于外延层可以在一个温度明显低于熔点的下生长（通常是30％到50％）。在各种外延工艺中，气相外延对硅器件是最重要的。VPE对砷化镓也重要，但是其它的外延工艺分子束外延可为砷化镓的外延生长提供一些VPE不具有的优点。 注意到基座的几何为反应提供了名称：水平的，扁平的和桶状的基座，它们都用石墨块做成。在外延反应装置中，基座都类似于单晶生长炉中的坩锅。它们不仅机械地支撑晶片，同时在反应加热装置中作为反应的热源。 四硅源用到气相外延生长中 ， 它们分别是 ：氯SiCl4--silicon tetrachloride），二氯硅烷 （SiH2Cl2 --dichlorosiliance ），三氯硅烷（SiHCl3--trichlorosiliance）， 和硅烷（SiH4--siliance）。其中硅烷的研究最深入在工业中应用最广。反应温度一般在1200℃。其它的硅源使用是反应温度硅烷中的每一个Cl被H原子取代反应温度下降50℃。上述硅烷反应可生长出一层Si，反应如下： SiC14(gas) + 2H2(gas)Si(solid) + 4HCl(gas) (3-4) 反应同时会伴随如下副反应： SiCl4(gas) + Si(solid) 2SiCl2(solid) (3- 5) 因此，如果硅烷的浓度过高，将发生刻蚀而非硅层的生长。乙硼烷三氢化磷砷化三氢砷化三氢砷化三氢砷化镓gallium arsenide）在气态时分解为镓砷黄砷砷氯化镓—gallium chloride）镓外延生长砷化镓的总反应式是： As4 +4GaCl3 +6H2 4GaAs+12HCl （3-6） 黄砷是由砷化三氢AsH3)热分解生成的： 4AsH3 As4+6H2 （3-6a） 而氯化镓）是由反应生成的6HCl + 2Ga GaCl3 + 3H2 （3-6b） 反应物载气体（例如H2）被引入反应装置中。砷化镓GaAs）晶片被典型地保持范围650到850℃。As）必须有足够的过大压力防止衬底和生长层的热分解。 另一种是金属有机物化学气相积--metalorganic chemical-vapor deposition ），这种是用例如三甲基镓Ga（CH3）3 —金属有机化合物 三甲基镓Ga（CH3）3 来制造Ga）元件。两种化学药品能够蒸发成气体从反应装置。总的反应式是：As4+ Ga（CH3）3GaAs+CH4 （3-7） 在外延生长的过程中砷化镓GaAs）的参杂是由引进气体状态的参杂剂完成的。硫的氢化物和硒或者四甲基锡被用n型的参杂二乙基或二乙基镉被用p型的参杂铬酰氯被用来把铬参杂在砷化镓GaAs）里面来形成半绝缘层。外延生长，在原位上蚀刻外延生长之前除去污染物。