- 1、本文档共27页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第15章 结晶法 主要内容 第一节、结晶过程的实质; 第二节、过饱和溶液的制备; 第三节、晶核的形成; 第四节、晶体的生长; 第五节、提高晶体质量的途径; 第六节、蛋白质的结晶。 第一节 结晶过程的实质 一、结晶的概念 溶液中的溶质在一定条件下,因分子有规则的排列而结合成晶体,晶体的化学成分均一,具有各种对称的结构,其特征为离子和分子在空间晶格的结点上呈规则的排列。 第一节 结晶过程的实质 二、固体的两种形态 结晶和无定形固体两种状态 (1)结晶:析出速度慢,溶质分子有足够时间进行排列,粒子排列有规则 (2)无定形固体:析出速度快,粒子排列无规则 第一节 结晶过程的实质 三、结晶操作的特点 1 只有同类分子或离子才能排列成晶体,因此结晶过程有良好的选择性。 2 通过结晶,溶液中大部分的杂质会留在母液中,再通过过滤、洗涤,可以得到纯度较高的晶体。 3 结晶过程具有成本低、设备简单、操作方便 4、结晶影响因素多 广泛应用于氨基酸、有机酸、抗生素、维生素、核酸等产品的精制。 第一节 结晶过程的实质 四、几个基本概念 1 饱和溶液:当溶液中溶质浓度等于该溶质在同等条件下的饱和溶解度时,该溶液称为饱和溶液; 2 过饱和溶液:溶质浓度超过饱和溶解度时,该溶液称之为过饱和溶液; 溶质只有在过饱和溶液中才能析出; 溶质溶解度与温度、溶质分散度(晶体大小)有关。 第一节 结晶过程的实质 五、颗粒大小与溶解度的关系 凯尔文(Kelvin)公式(颗粒大小与溶解度) Ln C2 = 2Mσ C1 RTρr 可见,r↓,溶解度C↑ C2—颗粒半径为r 溶质的溶解度 C1--普通溶质的溶解度 M-- 溶质的相对分子量 σ—固体颗粒与溶液间的表面张力; ρ—固体颗粒密度 r为颗粒半径 R---气体常数; T---绝对温度 第一节 结晶过程的实质 六、温度与溶解度的关系 由于物质在溶解时要吸收热量、结晶时要放出结晶热。因此,结晶也是一个质量与能量的传递过程,它与体系温度的关系十分密切。 溶解度与温度的关系可以用饱和曲线和过饱和曲线表示。 六、温度与溶解度的关系 1、随着温度升高,要达到某一过饱和区所需的浓度越大 2、过饱和曲线区域划分与内涵 1 )稳定区: 不饱和区 2 )第一介稳区:加入晶种结晶会生长,但不产新晶核 3) 第二介稳区:加入晶种结晶会生长,同时有新晶核产生 4) 不稳区:瞬时出现大量微小晶核,发生晶核泛滥 第一节 结晶过程的实质 七、结晶步骤 (1)过饱和溶液的形成 (2)晶核的形成 (3)晶体生长 其中,溶液达到过饱和状态是结晶的前提;过饱和度是结晶的推动力。 这一过程与表面分子化学键力变化有关,因此,结晶过程是一个表面化学反应过程。 第二节 过饱和溶液的形成 1、热饱和溶液冷却(等溶剂结晶) 即,将热饱和溶液降温冷却,此法适用于溶解度随温度降低而溶解度显著减小的体系;反之,采用加温结晶; 2、部分溶剂蒸发法(等温结晶法) 即加压下将饱和溶液的溶剂进行蒸发,此法适用于溶解度随温度降低变化不大的体系,或随温度升高溶解度降低的体系; 第二节 过饱和溶液的形成 3、真空蒸发冷却法 使溶剂在真空环境下迅速蒸发,并结合绝热冷却,是结合冷却和部分溶剂蒸发两种方法的一种结晶方法。 4、化学反应结晶 加入反应剂产生新物质,当该新物质的溶解度超过饱和溶解度时,即有晶体析出; 第三节 晶核的形成 一、晶核的形成过程与条件: 是一个新相产生的过程,需要消耗一定的能量才能形成固液界面; 结晶过程中,体系总的自由能变化分为两部分,即:表面过剩吉布斯自由能(ΔGs)和体积过剩吉布斯自由能(ΔGv) 晶核的形成必须满足: ΔG= (ΔGs+ ΔGv)0 通常ΔGs0,阻碍晶核形成,而ΔGv0,促进晶核形成。 第三节 晶核的形成 二、晶核形成的分类 分为初级成核和次级成核 1、初级成核:无晶种存在时产生的晶核 (1)均相成核(无固相) (2)非均相成核(有固体异物存在而促进成核) 2、次级成核:有晶种存在时产生的晶核 (1)剪切力成核,搅拌的剪切力从晶体上刮落晶体碎粒,形成新的晶核 (2)接触成核:晶体与晶体、或与搅拌叶、器壁之间的碰撞,落下晶体,形成新的晶核。 第三节 晶核的形成 三、成核速度 由Arrhenius公式可近似得到成核速度公式: B = ke-?Gmax/RT B——成核速度(个/v.t) ?Gmax——成核时临界吉布斯自由能,是成核时必须逾越的能阈 k——常数, (S--饱和度) 而?Gmax可由下式计算: 第三节 晶核的形成 四、常用的工业起晶方法 (1)刺激起晶法:溶剂蒸发进入不稳定区形成晶核→当产生一定量的晶核后
文档评论(0)