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4第四章光源与光发射机10.9,光发射机,光发射机和光接收机,1310光发射机,有线电视光发射机,1550光发射机,光发射机原理,外调制光发射机,直调光发射机,1550nm光发射机
光纤通信第四章 光源与光发送机 4.1 半导体光源的物理基础 4.1.1 孤立原子的能级和半导体的能带 4.1.2 光与物质的相互作用 4.1.3 粒子数反转分布状态 4.2 光源的工作原理 4.3 光源的工作特性 4.4 光发送机 4.5 驱动电路与辅助电路 4.1.1 孤立原子的能级和半导体的能带 能级:原子由原子核和核外电子组成,核外电子围绕原子核旋转,每个电子的运行轨道并不相同,各代表不同的量子态,在最里层的轨道上量子态所取的能量最低,最外层的轨道量子态能量最高,这些不同的轨道运行时相应的能量值称为能级。 补充知识:泡利不相容原理 泡利不相容原理:每个能级只允许两个自旋相反的电子占有 。 根据泡利不相容原理,固体材料中电子的基态能级和激发态能级将分裂成能带。对半导体,基态能级分裂成价带,激发态能级分裂成导带。价带和导带之间存在一个电子不能具有的能量区间,称为禁带。 4.1.2 光与物质的相互作用 晶体的能带 电子在原子之间作共有化运动,受相邻原子的影响,原子的能级扩展为能带。 4.1.2 光与物质的相互作用 能级的跃迁 通过和外界交换能量,原子所处的能级发生跳变 ----能级的跃迁。 □自发辐射 处在E2上的电子自发地跃迁到E1上,并发射一个光子,光子频率为?,能量为: ?=h? =E2-E1 h为普朗克常数,其值为6.626×10-34焦耳·秒 对于大量电子,自发辐射光具有不同的相位,偏振方向,传播方向------非相干光。 半导体发光二极管是自发辐射发光器件。 4.1.2 光与物质的相互作用 能级的跃迁 □受激辐射 当处于高能级E2的电子,在受到光子能量恰好为E=hv=E2-E1的外来入射光的照射时,电子在入射光子的刺激下,跃迁回到低能级E1,而且辐射出一个与入射光子有相同频率、相同相位和相同传播方向的光子,这种类型的跃迁称为受激跃迁,其辐射称为受激辐射 hv=E2-E1 入射光子和感应光子的频率,相位,偏振方向,传播方向相同。------相干光(全同光)。 半导体激光器是受激辐射的发光器件。 4.1.2 光与物质的相互作用 能级的跃迁 □受激吸收 E1上的电子吸收光子跃迁到E2上,感应光子能量 h? =E2-E1 在外来光子激励下,电子吸收外来光子能量,从低能级跃迁到高能级,变成自由电子。 半导体光检测器是受激吸收工作的光电器件。 4.1.3粒子数反转分布状态 晶体中电子按能级的分布 处于E2上的电子数N2 处于E1上的电子数N1 大量分子在没有外加能量的热平衡条件下,电子按能级的分布符合玻尔兹曼分布: N2/N1=exp(-(E2-E1)/Kt) k: 玻尔兹曼常数。k=1.38?10-23 J/K T: 晶体的绝对温度 (0K=-273℃) 晶体中电子按能级的分布 通常情况下,N2N1, 高能级上的电子数少。 光经过晶体时,受激吸收占主要地位,光被衰减吸收。 如果N2N1,即受激辐射大于受激吸收,当光通过这种物质时,会产生放大作用,这种物质称为激活物质。N2N1的分布和正常状态(N1N2)的分布相反,所以称为粒子(电子)数反转分布。 为了使物质发光,必须进行粒子数反转分布,有多种方法可以实现能级之间的粒子数反转分布状态(泵浦技术),这些方法包括光激励方法、电激励方法等。 粒子数反转分布必要条件:多能级物质 当用hf31=E3—E1的外界激励去激发激光物质时,处在低能级E1上的电子被激发到了高能级E3上,但因在E3能级上寿命很短,很快跃迁到亚稳态级E2上,结果在E2与E1之间形成“粒子数反转分布”。这种处于E2亚稳能级上的电子是不稳定的,它可以自发跃迁到低能级E1而辐射出频率为f21=E2—E1/h的光子。 粒子数反转分布形成示意图 第四章 光源与光发送机 4.2 半导体光源的工作原理 4.2.1 LED工作原理 4.2.2 LD工作原理 4.2半导体光源工作原理 LD与LED 激光器被视为20世纪的三大发明(还有半导体和原子能)之一,特别是半导体激光器LD倍受重视。 光纤通信中最常用的光源是半导体激光器LD和发光二极管LED。 主要差别: 发光二极管输出非相干光(自发辐射); 半导体激光器输出
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