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8功率VDMOS电机可靠性试验及失效分析.pdf
四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会论文集 2008年12月
功率VDMOS电机可靠性试验及失效分析
王欣1洪辛1谢刚’廖忠平1李泽宏“2
。(电子科技大学电予薄膜．’j集成器件国家重点实验室成都610054)
2(无锡华润华品微电子有限公司无锡214061)
摘 要：本文阐述了一种电机用功率VDMOS器件的可靠性试验方案和试验过程。对不同驱动电压下VDMOS器件所能承受的
最人供电电压进行了测试，分别在轻、重负载下对器件进行不同驱动电压的电机刹车试验。对自主研制的1010以及LP7576
两种型号的器件分别进行试验。
关键词：VDMOS可靠性电机试验失效分析
andFailure ofPowerVDMOS
ReliabilityExperiment Analysis
Xinl Xin‘Xie Liao Li
Wang Hong Gan91 Zhongpin91Zehon91‘。
’(StateKeyLaboratory ThinFilmsand
ofElectronic
ChinaResourcesMicroElectronics
3(Wuxi Huajing
describesa ofVDMOSdevice the
ABSTRACT：This
paper reliabilityexperiment includingexperimentalproject
andthe deviceiSaimedtouseinelectromotor．Testsaredonetoobtainthemaximum
process．The powersupply
whichtheVDMOSdevicecan underdifferent aretaken
voltages support drivingvoltages．Breakingexperiments
and
underdifferent andwithboth and load．Thedevices as1010LP7575
drivingvoltages light heavy modeling
areusedtomakethe with．
experiments
words：VDMOS Electromotor Failure
Key Reliability experimentanalysis
2试验方案和过程
1 引 言
当今电子产品的质量与可靠性已经成为人 本文讨论的器件可靠性，是通过对VDMOS
们普遍关注的焦点，不仅在国防，航天，航空等 芯片进行无刷直流电机测试，测试其在不同应用
尖端技术领域倍受青睐，在工业，民用家电等领 环境和条件下的参数和失效情况。本试验测试在
域也同样为人们所重视。垂直双扩散金属氧化物 不同的驱动电压下，芯片所能达到的最大供电电
半导体(VDMOS)功率器件是功率电子的重要压，并且在轻
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