ZAO导电膜的制备与性能分析.pdfVIP

助 锨雪孝 斟 ZAO导电膜的制备与性能分析。 刘德雄1，唐金龙1，温 才1，胡思福2 (1．西南科技大学理学院，四川绵阳621010；2．电子科技大学，四川成都610000) 摘 要： 采用ZnO、Al：O。(2．5％(质量分数))靶材， 2 实 验 真空腔温度保持在40℃左右，运用电子束蒸发法制得 系列的ZnO：Al(ZAO)薄膜。通过X射线衍射 (XRD)、光学显微镜、紫外一可见近红外光谱仪、四探针 测试仪等仪器对薄膜进行了测定。薄膜呈c轴择优取 向的六角纤锌矿结构；具有致密平滑的表面形貌；最佳 工艺下样品在702nm波长处透过率达90％；最低电阻 率为1．7×10-3Q·cm。 片。不同束流不同的蒸镀时间下制作ZAO薄膜。 关键词： ZAO薄膜；电子束蒸发；X射线衍射；透射 率：电阻率 津公司UV一3150紫外一可见近红外光谱仪测定；厚度 中图分类号：TB3