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第 卷 第 期 稀 有 金 属 -5 ! 年 月 -""7 ! T>A ] -5 ^ ] ! WKL$U9U F_‘1$0I _3 101U /U&0I9 F:HC:?@ -""7 $$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$ 镍钛形状记忆合金薄膜的相变温度和力学性能! " 柳美荣 ,郭锦芳,米绪军,朱明 (有研亿金新材料股份有限公司,北京 !"""##) 摘要:利用直流磁控溅射法溅射沉积了$%&% 形状记忆合金薄膜,对$%&% 形状记忆合金薄膜进行晶化热处理以使其获得形状记忆效应,研究 了 晶化热处理 后 薄膜的相变温度和力学性能。研究结果表明, 薄膜 晶化热处理 后,升温过程中发生 ’’" ( ! ) &%*+# , - . $% $%&% ’’" ( ! ) / #0 的相变,而降温过程中则先发生0#1 相变,再发生1#/ 的相变。薄膜的断裂强度随测试温度的升高而增大,残余应变随温度的升高 而减小,当温度大于! 2 点时,表现为超弹性。 关键词:形状记忆合金;磁控溅射法; 薄膜;晶化热处理 $%&% 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) &3#!’ 0 "-’# 4 5"56 -""7 "! 4 ""8’ 4 "7 近年来,形状记忆合金( , ),其压强为 。溅射电压为 9):;< /<=>?@ 0AA>@ 88 , 888 . " , ’ Q " ,5 S: 即9/0 )在许多方面均已获得应用。随着微电子机 +"" T ,所用基片为玻璃,本实验溅射时基片不加 械系统的发展,对体积较小且功率较大的微型驱 热,为冷溅射。本实验根据薄膜的晶化温度,将薄 动元件的需求越来越迫切。形状记忆合金薄膜除 膜在’’" (进行晶化热处理,研究热处理后薄膜的 了具有体材料的优点外,还因表面积大、散热能力 相变温度和力学性能,采用 $U&V9WK G9W-"" 对 高,从而改善了响应速度;因电阻率高,增加了对 薄膜的相变温度进行测试,在上海交通大学材料 温度、应力检测的灵敏度,且易于集成化制造,正 系的 ( )设备 G/0-8#" G@H:=%E /<E):H%E:A 0H:A@N<? 能适应微型驱动元件的要求。目前,国际上主要是 上进行了力学性能的研究。 美国和日本已在这一领域里开展了大量工作,美 - 结果与讨论 国的 , , 和日本的 BCDE) F G F>)HD>H 0 G I<< J K , , 等人对 形状记 薄膜的相变温度 LD)%M: 0 /%@:N:O% 9 J@>PC 0

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