不同能级加速过滤电弧沉积四面体非晶碳膜的结构和性能.pdf

第53卷第4期2004年4月 物 理 学 报 1000—329012004／53(04)／1150—07 ACTAPHYSICASINICA ⑥2004 Chin．Phys．Soc． 不同能级加速过滤电弧沉积四面体 非晶碳膜的结构和性能* 朱嘉琦1’’ 王景贺2’ 孟松鹤1’ 韩杰才1’ 张连生3’ (哈尔滨工业大学特种环境复合材料技术国防科技重点实验室，哈尔滨 150001) 2’(哈尔滨工业大学精密工程研究所，哈尔滨150001) 3’(承德石油高等专科学校，承德067000) 厂、／， (2003年4月15日收到；2003年6,El29日收到修改稿)L广r 采用过滤阴极真空电弧技术，通过施加O一2000v衬底负偏压使沉积离子获得不同能级的入射能量，在单晶硅 上制备了四面体非晶碳薄膜．拉曼光谱分析表明，薄膜的结构为非晶sp3骨架中镶嵌着平面关联长度小于1nm的 sp2团簇．原子力显微镜研究表明：在低能级、富sp3能量窗口和次高能级，薄膜中sp3的含量越多，其表面就越光滑， 应用s一浅注入生长机制能够圆满地解释薄膜表面形态与离子入射能量之间的关系；但在高能级，具有适当入射能 量的离子对表面将起到溅射平滑作用，甚至可以得到比s一含量最高时均方根粗糙度更低的光滑表面．纳米压入测 试表明，高能(一2000V)沉积的四面体非晶碳膜具有比不加偏压时更高的硬度和杨氏模量，并具有比sp3含量最高 时更高的临界刮擦载荷． 关键词：四面体非晶碳，过滤阴极真空电弧，能级 PACC：6140，6855 体，并用光电飞行时间法测试了离子能量；廖梅勇 1．引 言 等¨21在50—200eV之间变化离子能量，考察碳膜的 表面形貌．还有许多文献也研究了0—500ev的较 四面体非晶碳(ta．C)含有较高比例的。键，并低能级下制备非晶碳膜¨3_16|，对在1000eV以上的 具有高硬度、高弹性模量、高热导率、高电阻率、高红 高能级条件下制备的非晶碳膜还缺乏深入的分析． 外透过性以及高生物相容性等许多堪与金刚石相媲 如在沉积离子入射能量与薄膜表面形态之间的关系 美的优异性能，因而在电子、机械、医疗、国防等领域 方面还存在一些认识上的误区． 有着广阔的应用前景．四面体非晶碳薄膜一般由能 另一方面，四面体非晶碳薄膜在不同领域的应 量离子沉积而成¨_41，其结构和性能通过控制沉积 用要求薄膜与不同衬底之间具有良好的结合性能和 离子能量而在较宽范围内可调，如sp3杂化的含量 适当的厚度，但是制约四面体非晶碳广泛应用的一 从50％到90％b1，硬度从20GPa到80GPa№。，杨氏 个重要原因就是薄膜中保持着很高的内应力，并限 模量从200GPa到760GPa1，光学带隙从2．0eV到 制膜厚只能在100—200am¨川．为了增强薄膜与衬 4．0eV等伸1．为了获得最优的结构和性能，研究人员 底的结合强度，并降低应力增加膜厚，不同研究小组 对于怎样利用能量离子制备富sp3杂化的非晶碳 分别采用了梯度膜¨6|、多层膜¨8J刮以及高能注入和 膜，并确定最佳沉积工艺，给予了较多的关注．如 低能沉积相结合‘舻圳等办法．无论采用哪种方式， V之间变化衬底偏压，研究 Fallon等旧1在0一一450 都充分利用了非晶碳膜的性能和结构可以调制的特 类金刚石膜的生长机制；Shi等¨刮在0—200ev之间 点．但是对高能级沉积非晶碳膜的结构和性能还缺