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2015-09-20 发布于山西
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L6201 L6202 - L6203 DMOS(消耗型金属氧化物半导体)全控桥驱动器供电电压：48V 的逻辑输入能控制一个沟道(半桥)，而公共的使能端最大峰值电流5A （L6021最大2A ）可以控制两个沟道。L6201共有3 中不同的封装型号。电流有效值：多源BCD技术 L6201: 1A; L6202: 1.5A; L6203/L6201PS: 4A RDS (ON) 电阻值 0.3 Ω (室温 25 °C) 击穿电压保护兼容TTL 电路运行最高频率100KHz 热滞集成逻辑电路使用高效概述 L6201是一种应用多源BCD(Bipolar,CMOS,DMOS) 分类数据：技术来控制电机的全控桥驱动器芯片，这种芯片能将 L6201(SO20表面贴片) 独立的DMOS场效应晶体管和CMOS以及二极管集成 L6201PS(PowerSO20) 在一块芯片上。由于使用模块化扩展技术，L6201可 L6202(双列直插封装18引脚) 以实现逻辑电路及功率级的优化。DMOS场效应管能 L6203(Multiwatt封装) 在42V 的电压下运行，同时具备高效、高速的切换性能。兼容所有的TTL, CMOS and μC输入。每个独立结构图引脚连接图（俯视）引脚功能芯片名称功能 L620 L6201PS L6202 L6203 1 16 1 10 SENSE 外接电阻，提供电机反馈控制电流 2 17 2 11 ENABLE 高电平有效，选择IN1或者IN2接口 2,3,9,12 不接线 3 3 N.C. ,18,19 4.5 — 4 GND 公共接地端 — 1,10 5 6 GND 公共接地端 6,7 — 6 GND 公共接地端 8 — 7 N.C. 不接线 9 4 8 1 OUT2 第二个半桥的输出口 10 5 9 2 Vs 电源端 11 6 10 3 OUT1 第一个半桥的输出口（续） 12 7 11 4 BOOT1 引脚外接自举电容来确保第一级DMOS场效应管有效 13 8 12 5 IN1 电机的数字信号输入 14,15 — 13 GND 公共接地端 — 11,20 14 6 GND 公共接地端 16,17 — 15 GND 公共接地端 18 13 16 7 IN2 电机的数字信号输入 19 14 17 8 BOOT2 引脚外接电容来确保第一级DMOS场效应管有效内置参考电压，通过电容充电。含有内置电阻，最大电源 20 15 18 9 Vref