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2015-09-21 发布于山西
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半导体器件物理 pn结二级管(三) 二极管的击穿光电二级管半导体器件物理二级管的击穿 • 反向电压增大到一定程度时反向电流突然急剧增加，称为击穿 • 击穿本身不是破坏性的，它的电流受外电路电阻限制半导体器件物理隧道击穿（齐纳击穿） • 反偏pn结的电场使得p 区价带上电子穿过禁带进入n 区导带，这个电流增大引起的击穿称隧道击穿。半导体器件物理隧道击穿特点 • 隧穿电流几率与势垒宽度d有关，d越小隧穿几率越大。 • Pn结两边的掺杂浓度都高的pn结易发生隧道击穿。 • 击穿电压较小，通常小于4Eg/q • 例：硅pn结二级管 N 17 -3 6 ,N 5X10 cm ,E10 V/M A D 隧道击穿半导体器件物理雪崩击穿 • 物理描述 P-N结反向电压增加势垒区电场增强电子和空穴获得的能量增大与晶格原子碰撞形成新的电子空穴对在电场作用下相向运动，重新获得能量与晶格原子再碰撞不断循环，雪崩倍增电流急剧增大，导致P-N结击穿半导体器件物理 • 雪崩击穿条件 W α碰撞电离率 ∫ αdx 1 0 • 雪崩击穿电压 α是电场E的函数可求出雪崩击穿时的临界电场Ec,进一步可以得到击穿电压 3 −3 13 ≈ V5.2×10 E N 2 4 B g B 半导体器件物理半导体器件物理半导体器件物理提高雪崩击穿电压的途径 • 电场限制环半导体器件物理提高雪崩击穿电压的途径 • 扩散环 – 使结的曲率半径增大，杂质浓度梯度减小，从而使击穿电压提高半导体器件物理提高雪崩击穿电压的途径 • 台面结构 – 由于空间电荷区表面有一定的角度，则其侧面的电荷平衡受到了破坏 – 表面的空间电荷区总宽度增大 – 表面电场强度比体内低，P-N结击穿将首先发生在体内半导体器件物理温度对击穿电压的