磁性材料Sr-%2c2-x-Gd-%2cx-FeMoO-%2c6-正电子湮没及输运特性研究.pdf

摘要 引起的结构和性质的变化。 0．25)样品，利用X射线衍射对样品进行了检测，在整个替代范围内，样品单相性很好， 没有杂相出现，说明了钆离子完全进入了晶格内部，钆离子对Sr位的取代是有效的。 7 位置，呈NaCl型结构相间排列，但由于制作工艺、烧结温度及掺杂的影响，不可避免 地存在反位缺陷，反位缺陷是影响材料特性的重要因素。 利用正电子湮没技术对系列样品进行正电子寿命谱测量，由两寿命谱模型计算出样 的长寿命、短寿命、平均寿命随Gd掺杂量的增加增大，当掺杂量x=0．25时，这些参量 的值较掺杂量x=0．2时有所减小，而电子密度随掺杂量的增加先减小后增加，这可能是 由Gd掺杂使样品缺陷尺寸发生变化所导致的。光掺杂时，总体上看，系列样品的平均 寿命随掺杂量的增加而减小，这表明光掺杂使样品内的平均缺陷尺寸变小，电子结构趋 于有序化。正电子寿命谱参数对光掺杂量十分敏感，通过光掺杂能有效改变样品的缺陷 尺寸和平均电子密度，进而影响样品的输运特性。 对样品电阻率测量的研究发现，影响电输运性质的因素主要有以下三个：首先， 二，反位缺陷浓度的提高增大