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电致电阻效应及其机理研究 白雪冬 一、电致电阻效应的发现与应用前景 在简单的金属/金属氧化物/金属三明治结构中， 研究发现施加电压能够改变器件的电阻，而且这种改 变是持久的且是可逆的。通过改变电压的极性或大 小，器件可以在两个阻态或多个阻态之间切换，这就 是巨电致电阻效应（CER ），如图 1 所示，在大多数情 景下，器件有两个可翻转的阻态。电致电阻的发现可 以追溯到 1962 年，当时希克莫特（T. Hickmott ）在铝 /绝缘体/铝三明治结构中发现有电致负电阻效应，即 电压引起高电阻态到低电阻态的转变。在此后的六十 年代人们相继在其他薄膜器件中发现电致电阻效应， 但当时并没有引起更多地关注。直到 2000 年，美国 休 斯 顿 大 学 的 研 究 小 组 在 巨 磁 阻 氧 化 物 Pr0.7Ca0.3MnO3 (PCMO) 薄膜中再次发现电致电阻现 象，进一步利用脉冲能够实现两个阻态的翻转，而且 电阻变化是非易失性的，他们证明了这种效应可以用 于非易失存储器，由此引发了电致电阻研究的热潮。 图 1 （a ）金属/氧化物/金属三明治器件结构； 同一年，IBM 研究小组发现 SrTiO 和 SrZrO 薄膜也 3 3 （b ）不同电压脉冲下测量的高电阻态和低电阻态， 有这种效应。电致电阻效应的重要性在 2002 年被广 两种阻态电阻值可以相差几个数量级 泛认识和接受。发现 PCMO 电脉冲诱导电阻转变现象 的休斯顿大学研究组联合夏普（Sharp ）公司一起提出 二、电致电阻效应研究的现状 非易失电阻随机存储器（RRAM ）概念，并开发了基 根据电阻转变所表现的电流-电压（I-V ）曲线 于 PCMO 的非易失电阻随机存储器原型器件。所谓的 的形式，可以将电阻转变分为两类：单极型 非易失电阻随机存储器，就是使用电学脉冲擦写阻 （Unipolar ）和双极型（Bipolar ），如图 2 所示。单 态，并且断电之后其阻态保持不变，信息由阻态表示： 极型转变是，从高阻态到低阻态或低阻态到高阻态 对应双阻态情况，高阻态（HRS ）对应“0 ”， 低阻态 的转变发生在大小不同但极性一样的偏压，或正或 （LRS ）对应“1”。这样的随机存储器在系统关闭或 负；双极型转变是，从高阻态到低阻态和低阻态到 无电源供应时仍能保持数据信息。当时的原型 RRAM 高阻态的转变偏压极性相反。图 2 中细斜线示意电 已具有比闪存快 100 倍的数据读写速度。RRAM 结构 路处于低阻态即“开”态，粗线示意电路处于高阻 简单，一个存储单元可以是一个电阻器和一个二极管 态即“关”态。图中的箭头示意扫描偏压和电流的 （1R1D），或者一个电阻器和一个晶体管（1R1T）， 走向。单极型电阻转变器件在正偏压区和负偏压区 这种简单结构不仅可以提高数据读写速度，还可以提 的工作是对称的，扫描电压从零点开始，如图 2 （a ） 高存储密度。另外，数据擦写的偏压在 1 伏量级，电 所示，图中的虚线表示实验中给仪表设定的限制电 流可以小到纳安量级，因此功耗也非常小。2008 年英 流值 CC ，以免电流过大使电阻或仪表被烧毁。随着 国《自然》杂志上发表了《找回了丢失的忆阻器》论 偏压扫描，当电流出现突然跃变达到 CC 值，说明 文，推动电致电阻效应研究进入了更深入的层次， 电路被打开，呈现“开”态；对于双极型电阻转变 RRAM 有望成为下一代非易失存储器。 （图2 （b ）），电流-电压曲线构成一个闭合的回滞 24 卷第 1 期 ( 总 139 期)