一种考虑几何屏蔽效应的计算quot;电子-分子quot;散射总截面的可加性规则修正方法.pdfVIP

第57卷第3期2008年3月 物理学 报 1000．3290／2008／57(03)／1632．08 ACTAPHYSICASINlCA ⑥2008Chin．Phys．Soe． 一种考虑几何屏蔽效应的计算“电子．分子散射总截面 的可加性规则修正方法* 施德恒1’2’’ 孙金锋2’ 朱遵略2’ 刘玉芳2’ I)(信阳师范学院物理电子工程学院，信阳464000) 2)(河南师范大学物理与信息工程学院，新乡453007) (2007年6月13日收到；2008年1月3日收到修改稿) 在考虑分子内原子间的几何屏蔽效应随电子入射能量变化的基础上。提出了一种能够在中、高能区准确计算 “电子．分子”散射总截面的可加性规则修正方法．利用这一修正后的可加性规则并使用“电子．c，H。O，N原子”散 射总截面的实验数据，在50--5000 eV内计算了电子被NO，N：O，N02和C：比分子散射的总截面，且将计算结果 与实验结果及其他理论结果进行了比较．结果表明，利用这一方法修正过的可加性规则进行计算，所得结果要比 利用未修正的可加性规则及其他理论进行计算所得结果更接近实验值．同时分析也表明，为使未修正的可加性规 则能够在一个较大的能区内直接用于“电子．分子”散射总截面的计算，必须改造适用于“电子．自由原子”散射总截 面计算的复光学势，以解决它用于“电子．分子中的原子”散射总截面的计算时，在中低能区过强、且随电子入射能 量的增加而衰减太快的问题． 关键词：电子散射，可加性规则，总截面，几何屏蔽效应 PACC：3480，3410 简单、且较实用的一种，但对于那些较大¨21或较复 1．引 言 杂¨引的靶分子而言，即使是在几百ev的能量下， 其计算结果与实验结果间依然存在着较大的偏差． 近年来，随着计算技术的发展，“电子一分子”散 为使AR方法的适用范围向低能端延伸，近年 射总截面的计算方法获得了快速发展．多种近似方 来研究者们对AR方法进行了各种各样的修 法，如施温格(Schwinger)迭代变分法…、施温格多通 道法陉]、复科恩(Kohn)变分法b]、扭曲波近似¨]、R一时，提出了两种几何AR方法，在几十“的能量下 矩阵b】、格劳勃(Glauber)近似№’、一级波恩(Born)近就能获得与实验值相当一致的结果．遗憾地是， Bobeldijk等未计算“电子．分子”散射的总截面． 似n】、密耦(Close．Coupling)法随】、施温格变分迭代法 与扭曲波近似相结合的方法旧1以及极化轨道法n们 等，被相继提出．但在中、高能区，由于几乎所有的 方法计算分子的电离截面，但他们同样没有计算 非弹性通道(如转动、振动、电子激发、电离与离解 “电子一分子”散射的总截面．Joshipura等¨引将“电子． 等)都被打开，给这些方法的准确计算带来了极大 分子”相互作用势分成短程势和长程势两部分，并 的困难．因此关于“电子．分子”散射总截面的计算， 利用这种划分对AR方法作了相应的修正．使用这 很多都只是在中、低能区进行的． 为能在较高能量下计算“电子一分子”散射总截 面，在过去的十几年中研究者们提出了不少新方 面，其精度有一定程度的提高．Ka．rwasz等n提出 法．在这些方法中，可加性规则(AR)u¨方法是较了一种形成性可加性规则．在这种可加性规则中， 项目(批准号：2007140015)资助的课题． t E-mail：scattering@sins．corn．cn 万方数据 3期 施德恒等：一种考虑几何屏蔽效应的计算“电子．分子”散射总截面的可加性规则修正方法 163