石墨烯透明导电薄膜的合成与表征.pdfVIP

第24卷第7期 中国有色金属学报 2014年7月 VoIume24Number7 TheChineseJournalofNonferrous Julv2014 Metals 文章编号：1004．0609(2014)07．1817．06 石墨烯透明导电薄膜的合成与表征 王永祯，王勇，刘志涛，蔡晓岚 (太原理工大学材料科学与工程学院，太原030024) 针测试仪对产物微观形貌与结构、透光性和导电性能进行表征，讨论反应温度和氢气流量对石墨烯薄膜结构及性 能的影响。结果表明：在一定范围内调节氢气流量均可得到石墨烯薄膜：当反应温度为1000℃时，制备的石墨 烯缺陷和层数较少，透光性较高。随温度升高；石墨烯薄膜产生的缺陷和层数减少，石墨烯的薄层电阻随生长温 度的升高呈线性下降趋势。石墨烯透明薄膜的微观结构与导电性相互关系的研究为其进一步应用于宽波长范围的