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第3章 高频谐振放大器 晶体管的高频小信号等效模型 Y参数等效电路 3.1 高频小信号调谐放大器 3.1.2 放大器性能参数分析 3.1.3. 多级单调谐放大器 2. 提高放大器的稳定性的方法 3.2 高频功率放大器的原理与分析 概述： 3.2 高频功率放大器的工作原理 3.2.1 工作原理分析 2 集电极输出电压 3. 高频功放的功率关系  3.2.2 高频功率放大器的动态分析 3.2.2 高频功率放大器的动态特性 2.2.3. 高频功率放大器的负载特性 2.2.4. 高频功率放大器的调制特性 2.2.5 高频功率放大器的放大特性 2.2.6高频功率放大器的调谐特性 2.3 高频功放的高频效应 2.4 高频功率放大器的实用电路 2.4.1高频功率放大器的电路组成 2 基极馈电线路 2.4.2 高频功放的耦合回路 (2) 滤波器型的匹配网络 4.6.2 D类和E类功率放大器简介 1）、C 端输入信号 图3 ─ 39是一个模块式射频部件的微带线电路板。 它由A、 B、 C、 D四个模块放大器级联组成。 ? 本 章 小 节 3.5.2 功率合成器 功率合成器, 就是采用多个高频晶体管, 使它们产生的高频功率在一个公共负载上相加。 图3 ─ 34是常用的一种功率合成器组成方框图。 由3dB耦合器原理可知, 当两晶体管输入电阻相等 时, 则两管输入电压与耦合器输入电压相等 ? 当 时, 由于流过负载的电流只有原来的一半, 功率减小为原来的1/4, 而A管输出的另一半功率正好消 耗在平衡电阻RT上, 即有 4.6.3 丙类倍频器 3. 高频功率放大器的负载特性 将式(4 ─ 36)代入式(4 ─ 37), 得 输出功率为 输入功率为 (4 ─ 39) (4 ─ 38) (4 ─ 40) 集电极损耗功率为 (4─ 42) ? (4 ─ 41) 图 4.29 功率合成器组成 4.6.3 功率合成器 功率合成器, 就是采用多个高频晶体管, 使它们产生的高频功率在一个公共负载上相加。 图4.29 是常用的一种功率合成器组成方框图。 4W 11W 5W 5W 11W 11W 19W 19W 35W 5W 5W 11W 11W 5w 5w 11w 11w 理想功率合成器条件： 1）、功率相加条件 N个同类型放大器，它们的输出振幅相等，每个放大 器供给匹配负载以额定功率PS0，则N个放大器输至负载的总功率为NPS0。 2）、 相互无关条件 合成器的各单元放大电路彼此隔离。即任何一个放大 单元发生故障时，不影响其它放大单元工作。 1 功率合成与分配网络应满足条件 2 功率合成（或分配）网络原理 1）、 两个线圈中通过大小相 等方向相反的电流。 2）、满足匹配条件，若无损耗，变压器输出端与输入端电 压振幅相等。 条件 取 RA=RB=ZC=R RC=ZC/2，RD=2ZC=2R 证明 C端与D端相互隔离， A端与B端相互隔离 设置 1、C 端输入信号 2）、D端输入信号 A、B两端得到大小相等，相位 相反的信号。即C、D相互隔离。 3）、A、B端输入反相激励信号 由电路对称性 则通过RC的总电流为零。即 C端无输出。A、B两端输出功率全部送至D端的2R 中，此RD=2R=RA+RB=2R相配。 4）、A、B端输入同相激励信号 则在RC=R/2上获得合成功率。RD上无输出功率。 RC=R/2 正好与等效激励信号内阻相匹配。 1 2 3 4 + + - - - 5）、A端（或B端）单边工作 由于A、B两端不对称，流入A点电 流不等于流出B点电流，电流关系 如图 RC RD RA RB A B 。 + - + - A端功率均匀 分配到C、D 端，B端无输 出。即A、B 端相互隔离。 c D 取 RA=RB=ZC=R RC=ZC/2，RD=2ZC=2R 证明 C端与D端相互隔离， A端与B端相互隔离 设置 功率 。 同理，只有B端激励时，功率平均分配到C、D端，A端无输出。即 C、D和A、B相互隔离。 总结： 1）、A端与B端和C端与D端相互隔离条件 RA=RB=2RC=RD/2=R 此时所需传输线变压器特性阻抗 2）、从A端与B端同时输入反相激励电压，则D端合成功率，C端无输出。