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Poisson方程反问题的惟一性和稳定性

中国科学A辑:数学,2007,37(5):595-604 中国科学杂志社 http://www.SciChina.com SCIENCEINCHINAPRESS Poisson方程反问题的惟一性和稳定性 冯立新p 屈彦呈z (1.黑龙江大学数学学院,哈尔滨150080,2.哈尔滨-rtk大学空间控制和惯性技术中心,哈尔滨150001) 摘要 一个带有参数的函数类中确定未知函数g(x)的反问题,得到了某些唯一性和稳定性结论. 关键词 方程适定性反问题 65N30,35R30 MSC(2000)主题分类 1引言 Poisson方程在半导体物理学中是一个非常有用的微分方程,它给出了载流子密度和电 势之间的关系.当半导体是中性时,在其内部不存在净电荷,载流子密度为零;当半导体不是 中性时,我们就要引入Poisson方程,这方面详细的描述可参考文献【1_4】及其所引用的文章, 其数学模型是一个非线性椭圆型微分方程组.由于此非线性方程组的复杂性,在我们的研究 中考虑下面的近似模型: 妒Ⅳ(z)=一e”一妒+e妒一。一N(x)=A—p(z),z∈I=(0,1),(1.1) Dirichlet边界条件为 妒I。:0=V0+钞,妒l。:1=0, (1.2) 其中妒表示电势,N(x)代表掺杂浓度,Vo0是一给定的常数,参数口在物理中代表电压. 方程(1.1)中,P表示电荷浓度,它由空间电荷区域中电子浓度eV-妒,空穴浓度e妒”和 知 。 此处,妒7表示辔而叱表示筹,因此,叱l。:o一叱I。:1描述了电容c(口)和电压u之间的 关系,而量筹(zo)和正筹dx分别代表半导体中某一点处的电流J(钉)和平均电流. 易知妒满足方程 (妒7,妒7)+(一e”一妒+e妒一”一Ⅳ(z),妒)=0,V妒∈硪(J). (1.1)7 个正问题. 收稿日期:2004-12-25;接受日期:2007-03-20 准号:LBH-Q05114)资助项目 +E-mail:fenglixin@math.pku.edu.∞ 596 中国科学A辑:数学 第37卷 然而,掺杂浓度N(x)事先可能是未知的,我们需要测量一些其他的量来获取此量.本文 通过一点处筹(简写为讥)的值,或它的平均值。C辔dx,或者量叱I。:o一织I。:1来确定未 知量Ⅳ(z).这是一个反问题【5】.这些问题源于物理学确定电子器件的掺杂组成设计,比如金 过程中,掺杂浓度g(x)通常是通过某一经验方程给出的,此方程一般是某些参数的函数,一 旦这些参数确定了,Y(x)也就确定了,因此本文主要考虑N(x)是属于依赖参数p的函数类 {Ⅳ(z,p))“的情形. 2问题(1.1)和(1.2)解的适定性 2.1解的存在性 下面陈述并证明问题(1.1)和(1.2)的适定性. 定理2.1 并且 min{妒lor,V+a】r≤妒≤max{妒loI,+p】., (2.1) 其中 a曲学,/,In学, 盟=i螬Ⅳ(z),N=supⅣ(z). z∈』 zel 证明 够:=(妒一卢7)+,其中卢7=max{妒lol,V+p}, 矿={}:霎} 显然移∈础(,).通过(1.1)式和关系㈨7,移7)=(钐7,硒,),有 (毒7,移7)4-(一e”一妒+e妒一”一Ⅳ(z),币)=0. (2.2) 易证Q和p分别是下面方程的解: e8一e一5一infN(x)=0,e8一e一8一supN(x)=0. 在集合p:={z∈II妒(x)≥+p)上,有 一eV-’h+e妒一”一N(x)≥一eV-妒+e妒一”一supN(x)

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