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Poisson方程反问题的惟一性和稳定性
中国科学A辑:数学,2007,37(5):595-604 中国科学杂志社
http://www.SciChina.com SCIENCEINCHINAPRESS
Poisson方程反问题的惟一性和稳定性
冯立新p 屈彦呈z
(1.黑龙江大学数学学院,哈尔滨150080,2.哈尔滨-rtk大学空间控制和惯性技术中心,哈尔滨150001)
摘要
一个带有参数的函数类中确定未知函数g(x)的反问题,得到了某些唯一性和稳定性结论.
关键词 方程适定性反问题
65N30,35R30
MSC(2000)主题分类
1引言
Poisson方程在半导体物理学中是一个非常有用的微分方程,它给出了载流子密度和电
势之间的关系.当半导体是中性时,在其内部不存在净电荷,载流子密度为零;当半导体不是
中性时,我们就要引入Poisson方程,这方面详细的描述可参考文献【1_4】及其所引用的文章,
其数学模型是一个非线性椭圆型微分方程组.由于此非线性方程组的复杂性,在我们的研究
中考虑下面的近似模型:
妒Ⅳ(z)=一e”一妒+e妒一。一N(x)=A—p(z),z∈I=(0,1),(1.1)
Dirichlet边界条件为
妒I。:0=V0+钞,妒l。:1=0, (1.2)
其中妒表示电势,N(x)代表掺杂浓度,Vo0是一给定的常数,参数口在物理中代表电压.
方程(1.1)中,P表示电荷浓度,它由空间电荷区域中电子浓度eV-妒,空穴浓度e妒”和
知
。
此处,妒7表示辔而叱表示筹,因此,叱l。:o一叱I。:1描述了电容c(口)和电压u之间的
关系,而量筹(zo)和正筹dx分别代表半导体中某一点处的电流J(钉)和平均电流.
易知妒满足方程
(妒7,妒7)+(一e”一妒+e妒一”一Ⅳ(z),妒)=0,V妒∈硪(J). (1.1)7
个正问题.
收稿日期:2004-12-25;接受日期:2007-03-20
准号:LBH-Q05114)资助项目
+E-mail:fenglixin@math.pku.edu.∞
596 中国科学A辑:数学 第37卷
然而,掺杂浓度N(x)事先可能是未知的,我们需要测量一些其他的量来获取此量.本文
通过一点处筹(简写为讥)的值,或它的平均值。C辔dx,或者量叱I。:o一织I。:1来确定未
知量Ⅳ(z).这是一个反问题【5】.这些问题源于物理学确定电子器件的掺杂组成设计,比如金
过程中,掺杂浓度g(x)通常是通过某一经验方程给出的,此方程一般是某些参数的函数,一
旦这些参数确定了,Y(x)也就确定了,因此本文主要考虑N(x)是属于依赖参数p的函数类
{Ⅳ(z,p))“的情形.
2问题(1.1)和(1.2)解的适定性
2.1解的存在性
下面陈述并证明问题(1.1)和(1.2)的适定性.
定理2.1
并且
min{妒lor,V+a】r≤妒≤max{妒loI,+p】., (2.1)
其中 a曲学,/,In学,
盟=i螬Ⅳ(z),N=supⅣ(z).
z∈』
zel
证明
够:=(妒一卢7)+,其中卢7=max{妒lol,V+p},
矿={}:霎}
显然移∈础(,).通过(1.1)式和关系㈨7,移7)=(钐7,硒,),有
(毒7,移7)4-(一e”一妒+e妒一”一Ⅳ(z),币)=0. (2.2)
易证Q和p分别是下面方程的解:
e8一e一5一infN(x)=0,e8一e一8一supN(x)=0.
在集合p:={z∈II妒(x)≥+p)上,有
一eV-’h+e妒一”一N(x)≥一eV-妒+e妒一”一supN(x)
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