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Unit 1 Introduction to Semiconductors Part I semiconductor半导体 material材料 metal金属 non-metal非金属 conductor导体 insulator绝缘体 element元素、元件 valency 化合价 silicon硅 germanium锗 tin锡 boron硼 alloy合金 compound化合物 electron电子 carbon碳 lead 铅 bond键 covalent compound共价化合物 DNA 脱氧核糖核酸 molecule分子 graphite石墨 diamond金刚石 soldered joint焊点 polymorphic 多晶形 crystallize 结晶，晶化 molecular bond分子健 energy gap 能隙 valence band价带 conduction band导带 pure纯的 chip芯片 resistance电阻 conductance电导 silicon crystal lattice硅晶格 atom原子 two-dimensional二维 three dimensional三维 absolute zero绝对零度 free electron自由电子 intrinsic semiconductor本征半导体 anomaly 反常，异常 doping掺杂 dopant掺杂剂 impurity杂质 hole空穴 phosphorus 磷 p-type silicon P型掺杂硅 Part II free electron自由电子 valence band价带 net negative charge净负电荷 positive charge正电荷 energy state能态 conduction band导带 dopant掺杂剂 recombination复合 majority and minority Carriers多数和少数载流子 diffusion扩散 external electric field外部电场 drift漂移 positive contact正电极 negative contact负电极 Unit 2 Semiconductor Devices p-n junction p-n结 semiconductor junction diode半导体结型二极管 p-type silicon p型掺杂硅 molecular junction分子结 doped silicon 掺杂硅 polish 抛光 silicon crystal 硅晶体. transistor 晶体管 germanium crystal 锗晶体 dopant 掺杂剂 compound 化合物 hole 空穴 electron 电子 opposite charge正电荷 re-combine 复合 negatively charged ion 带负电的离子 positively charged ion 带正电的离子 depletion zone 耗尽区 charge carrier (electrons and holes) 带电载流子（电子和空穴） forward direction 前向 reverse direction 反向 current 电流 forward bias 前向偏置 electrical potential 电势 negative pole 负极 positive pole 正极 contact 电极、接触 electromagnetic energy 电磁能 energy gap 能隙 injection luminescence 注入发光 minority carrier 少数载流子 lattice 晶格 reverse bias 反向偏置 voltage 电压 ionization 电离 covalent bond 价带 electric field 电场 Unit 3 Logic Circuit digital design 数字设计 hardware 硬件 software 软件 test equipment 测试设备 debugging. 调试 programmable read-only memory（PROM）可编程只读存储器 RAM (random-access memory) 随机读取存储器. analog circuit 模拟电路 passive component 无源元件 NAND gate 与非门 base-emitter junction 基极-发射极结 transistor 晶体管 saturation mode 饱和模式 voltag