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SCR叫普通晶闸管。属于双极型的器件，阻断电压高，通态压降低，电流容量大，但工作频率低，使用大中容量变流设备。IGBT 复合型器件，是GTR和MOS的混合也具有通态压降低，电流容量大的优点，更具有，输入阻抗高，响应速度快，控制简单的优点。SCR 频率最高才差不多十的四次方，但是功率很大，IGBT十的八次方频率。可控硅、GTO是电流触发，其中可控硅触发导通后要等到电流过0时才关断；GTO称之为可关断可控硅，可以在有电流时关断。 MOSFET和IGBT是电压控制器件，类似于场效应管，可通过栅极电压控制其导通和关断，开关速度高于GTO，由于MOSFET的耐压水平不能再继续提高，后推出场效应管与双极型管结合的器件IGBT。 它们共同的作用就是可以用较小的电流（或电压）去控制较大的电流，同时都具有单向导电性，均可作为整流和逆变元件使用， 但相比之下，可控硅的应用范围相对狭窄，但因为这些器件中，可控硅是最廉价的，工艺成熟，可做成高压、大电流，所以在整流、大功率的同步逆变、调功等装置中还是有较大优势。IGBT与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性，所以被广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。晶闸管又叫可控硅。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。这里有可控硅的所有基础知识：简单基本介绍，可控硅和IGBT是不同的电子元件。可控硅是bipolar 工艺，电流驱动。IGBT是可以简单理解为MOSFET+bipolar. 电压驱动，同时具有mosfet的频率特性，bipolar的功率特性。可控硅是历史很长，主要用在工频电源处，如马达控制（洗衣机）。IGBT是最近20年有很大进展，主要用在变频，逆变器可控硅和IGBT性能不同的，IGBT:绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。可控硅：可控硅又叫晶闸管，是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。　可控硅具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。 整流桥就是将整流管封在一个壳内了.分全桥和半桥.全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起.半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路, 算你走运，今天刚刚做的报告，不知道对你有用不？ 上世纪50年代前：中频发电机组和电子管振荡器式高频电源。 上世纪50年代末：出现硅晶闸管（可控硅）技术，感应加热电源及应用得到了飞速发展。 上世纪80年代开始：晶体管全固态电源逐步取代了传统电子管电源现阶段电源主流：SIT（静电感应管）、MOSFET（场效应管）、IGBT（绝缘栅双极型功率管 ）做为逆变输出的关键部件。在中低频（100KHZ以下）频段：1983年美国GE公司发明了IGBT，它综合了MOS管与双极晶体管的优点，因此在其通态压降低的同时开关速度加快。已成为众多加热电源的首选器件 。EFD公司IGBT电源可以达到350KHZ，国内感应加热电源在中频频段主要采用晶闸管，超音频频段主要采用IGBT，最高只能达到100KHZ（据说一般的只能做到60khz）。在高频（100kHz以上）频段 ：国外以模块化、大容量化MOSFET功率器件为主， 日本以SIT为主，SIT开关速度比MOSFET慢，同时它存在很大的通态损耗，随着MOSFET、IGBT性能不断改进，SIT正失去它存在的价值。国内目前MOSFET固态高频电源制造水平为400kW、500kHz。总的来说