KDP晶体电光效应.docVIP

KDP型晶体的线性电光效应原理及应用 王聪 1.线性电光效应 光波在介质中的传播规律受到介质折射率分布的制约。对于一些晶体材料，当施加电场之后，将引起束缚电荷的重新分布，并可能导致离子晶格的微小形变，其结果将引起介电系数的变化，最终导致晶体折射率的变化，折射率成为外加电场E: (1) 式中n0是E＝0 时折射率,第一项称为线性电光效应或泡克耳（Pockels）效应；第二项称为二次电光效应或克尔（Kerr）效应。对于大多数电光晶体材料，一次效应要比二次效应显著。 对于线性电光效应的晶体，折射率变化与电场强度成正比 (2) 电位移矢量与电场强度的关系： (3) 如果令： ,则 (4) 称为逆介电张量，且为对称张量。 展开写为以下的形式： (5) 在主轴坐标系下： (6) KDP晶体加电场前:;加电场后:。介质在外加电场作用下逆介电张量的变化为: (7) (8) 为线性电光系数，为二次电光系数。 线性电光方程： (9) 因此在外场作用下，折射率椭球方程为： (10) 由（9）求出后，代入（10）中就可以获得在外场作用下折射率椭球方程的变化,从而求出折射率的变化。 因为为对称张量，所以介质在外加电场作用下的变化也为对称张量，即 (11) 所以： (12) 具有交换对称性，可压缩下脚标 线性电光效应则可以用矩阵表示： (13) 如果知道外加电场的方向，可求出，再由（10）式可写出折射率椭球方程，进而计算出相应的折射率变化。 对晶体加电场后，折射率椭球的形状、大小、方位等均发生变化，椭球方程变为： (14) 假设变化后的主轴坐标系为，折射率方程变为： (15) 2.KDP晶体的线性电光效应 KDP晶体未加电场： (16) 对常用的KDP（KH2PO4）有nx1=nx2=no，nx3=ne，no＞ne，只有，而且E后： (17) 折射率方程变为： (18) 为电场E在上的分量；描写垂直于光轴方向的电场 所产生的电光效应；描写平行于方向的电场所产生的电光效应。 考虑，则折射率方程变为： (19) 将坐标和坐标绕轴旋转(角得到感应主轴坐标系，当( =45(，感应主轴坐标系中椭球方程为 ： (20) 主折射率变为： (21) 可见，KDP晶体沿轴加电场时，由单轴晶体变成了双轴晶体，折射率椭球的主轴绕轴旋转了45(角。如下图所示：此转角与外加电场的大小无关，其折射率变化与电场成正比，这是利用电光效应实现光调制、调Q、锁模等技术的物理基础。 3.KDP晶体的应用 实际应用中，电光晶体总是沿着相对光轴的某些特殊方向切割而成的，而且外电场也是沿着某一主轴方向加到晶体上，常用的有两种方式：一种是电场方向与光束在晶体中的传播方向一致，称为纵向电光效应；另一种是电场与光束在晶体中的传播方向垂直，称为横向电光效应。 ㈠.KDP晶体的纵向应用 当入射沿方向偏振，进入晶体后即分解为沿和方向的两个垂直偏振分量。它们在晶体内传播L光程分别为和，两偏振分量的相位延迟分别为 (22) (23) 当这两个光波穿过晶体后将产生一个相位差 ： (24) 这个相位延迟完全是由电光效应造成的双折射引起的，所以称为电光相位延迟。当电光晶体和传播的光波长确定后，相位差的变化仅取决于外加电压，即只要改变电压，就能使相位成比例地变化。当光波的两个垂直分量的光程差为半个波长（相应的相位差为(）时所需要加的电压，称为“半波电压”，通常以VV(/2表示。 由（24）得到： (25) 半波电压是表征电光晶体性能的一个重要参数，这个电压越小越好，特别是在宽频带高频率情况下，半波电压越小，需要的调制功率就越小。 ㈡.KDP晶体的横向应用 入射光进入晶体后即分解为沿和方向的两个垂