NaI晶体电子结构的研究.pdfVIP

维普资讯 第 29卷 第 1期 河南大学学报 (自然科学版) Vd．29 No．1 1999年 3月 J0I【 ofH豇1日nUnive~ (NaturalScien~ Mar．1999 NaI晶体 电子结构的研究 卜 G lA- 崔玉亭，谢凤萍 商丘 F辆睬 ： d60∞ __}}、f 摘 要 ：利用EHIdO方法结合特殊点方案和 自包窖子程序，计算 了N缸晶体的态密度．确定了价级 位置，得 出了其能席和价带宽度 ． 关键词’00苎’一迫坠茎塑堕 晶件 屯亍 {c句 分类号：0481．1 文棘标识码：A 论文编号：10113—4978(1999)01．0011—15 TheElectronicStructureofNaICrystal cU【Yu吨 ，班 F 啷． D 时辊 ‘ ，岛翻 g口缸 Teac／~ GdJe~e，盛 叼g口缸 47600 rm ， 舳蛳 ByIIⅢ 0f咖 tO眦． № P0ilit删 Ⅱe．andthe础舢．岫 ， ealcula~dd把 n 。f曲e田 咖 船 0fNal忸ysa【I，theP商 0fthev丑 ，d把 andthe w ofthe b m dd l畸 w0r出：de 6∞0f5I{；e四rgaps；widl~ 0fvaIeT bends 碱卤化物是高离子性的、宽带绝缘体 ．在碱卤化物 中，氟、氯 、溴化物在理论和实验上都进 行 了较为广泛的研究 1【,2,3,41，但对碘化物如 Nal晶体电子结构的性质。理论上的研究却甚为鲜 见 ．为此，本文用 EHMO方法结合特殊点方案 5【】，利用 自包容子程序l6】，采用 Ham／lto~非对角元 的改造形式4【J，计算了Nal晶体的电子结构．考虑到碱 卤化物结柑相同(都为面心立方晶体)。 这些晶体的内禀属性和光谱结构有相同的性质 为便于与已有的实验数据和理论计算结果比 较，同时也计算了NaF、NaCl、NaBr晶体．结果发现，采用的方案不但计算简便 ，而且 NaF、NsCl、 NaBr晶体的计算结果与实验数据和其他理论计算结果符合较好 ，从而确定 了Nal晶体的价级 位置、能隙和价带宽度 ． 1 计算方法和参数选取 基仍取成斯莱特形式 (STO)，哈密顿对角元取成相应的价态 电离电势 (vs )的负值．NaF、 NaCI、NaBr、NaI晶体的斯莱特类型轨道指数和价态电离 电势取值见表 1．暗密顿非对角元采用 收稿 日期：1998—11．20． 基金顷 目：河南省科技攻关计划项 目(981160209) 作者简介：崔玉亭 (1964一)．男．讲师，硕士 维普资讯 河南大学学报 (自然科学版) 1999拒 改进的形式 【 壁二 叭 H -△) ： ． ㈩ △ = 等毪． 表