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2015-09-27 发布于重庆
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一种全靶腐蚀磁控溅射设备

44 卷 6 期 Vol. 44, No. 6 真空灾粤悦哉哉酝 2007 年11 月 Nov. 2007 种全靶腐蚀磁控溅射设备 1 1 1 2 2 郝万顺，吴志明，王涛，王秋来，黄文符，， 1. 电子科技大学光电学院四川成都 610054 ；2. 沈阳市超高真空应用技术研究所辽宁沈阳 1100 15 ）摘要：传统的磁控溅射设备由于等离子体在靶面形成跑道效应，所以存在着靶材利用率低，反应溅射。，本文基过程中稳定性差的问题 M .J . Thwaites 提出了一种利用磁场将等离子体产生与溅射分开的结构于这种结构构造了一个实验平台对进行了研究，实现了全靶腐蚀，提高了系统的稳定性。关键词：磁控溅射；全靶腐蚀；磁场模拟中图分类号:TB43 文献标识码:B 文章编号:1002 -0322 (2007) 06 -0018 -04 A novel magnetron sputtering device with full target erosion 1 1 1 2 2 HAO Wan-shun , WU Zhi-ming , WANG Tao , WANG Qiu- lai , HUANG Wen-fu (1.Sc hool of Optoelectronic Information , Univ ersity of Electronic Scie nce Technology of China (UESTC), Chengdu 610054,China; 2. She nyang Institute of UHV Technology A pplications She ngyang 110015,China) Abstract: Conventionally the target s service factor of magnetron sputtering device is low with poor stability in reactive sputtering process because the plasma causes a runway effect on target surface. Based on M. J . Thwaites s suggestion that a construction separates the generation of plasma from sputtering process by a magnetic field, an experimental platform is built to study his idea, thus fulfilling the full t