横向SOI锗硅光电探测器的数值模拟_莫太山.pdfVIP

SEMICOND UCTOR OPTOEL ECTRONICS 　Vol . 24 No. 4 Aug. 2003 光电器件 横向 SOI 锗硅光电探测器的数值模拟 莫太山 , 张世林 , 郭维廉 , 郭 　辉 , 郑云光 ( 天津大学 电子信息工程学院, 天津 300072) 摘 　要 : 　采用 Atlas 对 SO I/ CMO S 兼容横向pin 近红外锗硅光探测器进行了模拟分析 。结 果显示 ,外延应变 Si Ge 层产生禁带变窄 ,形成了横向的二维空穴势阱沟道 。在 3 V 反向偏压下 , 电 场沿横向均匀分布 ,光吸收层基本完全耗尽 ,光生载流子得到有效收集 ;与 Si 的光电响应相比, 出 现较明显的响应波长范围向长波长方向扩展 、响应峰值波长向长波长方向移动 ,证实了探测器结构 的有效性和其良好的光电性能 。 关键词 : 　Si Ge ; 近红外光电探测器 ; 器件模拟 中图分类号 : 　TN 364 . 2 　文献标识码 : 　A 　文章编号 : 　100 1 - 5868 (2003) 04 - 0242 - 03 Numerical Simulation of Lateral Si Ge/ Si Photodetector Fabricated on SOI MO Taishan , ZHAN G Shilin , GU O Weilian , GU O Hui , ZHEN G Yunguang ( School of Electronic Inf ormation Engineering , Tianj in University , Tianj in 300072 , CHN) Abstract : 　The lateral pin near infrared Si Ge/ Si p hotodetector made in SO I/ CMO S st ruct ure is simulated using Atlas. Result s show t hat t he epit axial st rained Si Ge layer makes band gap narrower and forms a lateral twodimensional hole potential well channel . At a rever se volt age of 3 V , p hoto absorption layer s are almo st fullydepleted , t he elect ric field dist ributes in lateral direction uniformly and p hotogenerated carrier s are collected efficiently . The p hotoresponse range and t he response peak of t he device extend towar ds longer wavelengt h comp ared wit h t hat of Si , which verify t he validity of st ruct ure and good p hotoelect ric performance . Key words : 　Si Ge ; near infrared p hotodetector ; device simulation 1 　引言 拟 。模拟结果表 明: 平衡条件下 , 外延生长应变 Si Ge 层禁带变窄 ,形成了平行于器件表面的二维空 近年来 ,Si 基 Si1 - x Ge x 合金材料在制作近红外