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YSZ薄膜的制备及应用_潘礼庆
6 4 Vol.6, No.4
2000 12 JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES Dec., 2000
:1007-4252(2000)04-0372-05
YSZ
1, 2 2 2 2
潘礼庆 , 王岭, 孙加林, 洪彦若
(1.北京科大天宇微电子材料开发有限公司 北京科技大学物 系, 北京100083;
2.北京科技大学固体电解质及冶金测试国家专业实验室, 北京100083)
:研究了在NASICON 基板上使用溅射法制备的YSZ 薄膜的结构、晶相和导电性,
实验表明, 刚制备的YSZ 薄膜经750 ℃常规退火处 后, 薄膜表面致密、均匀、无裂
纹, 具备良好的导电性能。YSZ NASICON 组合再加上 a(NO )辅助电极构成的NO
3 2 X
气体传感器在450 ℃下响应迅速(响应时间约为3min)、稳定, 能检测到10ppm 量级的
NO 气体。
2
:YSZ 薄膜;固体电介质;电导率;气体传感器;溅射镀膜
:O484.1 :A
1
,
NOx , , 、、NOx
[ 1-3]
。NO , ,
x
[4] [5-7]
、 。,
、、。
NASICON YSZ , Ho-
[6] [7]
tze , Yao β β-Al O NASICON NaNO 、NaNO NO
2 3 3 2 x
, 、。
YSZ , ,
, 。YSZ ,
、sol-gel [8-10] 。 , , ;
sol-gel , ;YSZ 、、
, 。
NASICON YSZ ,
、, YSZ NASICON , a(NO )
3 2
, , ,
EMF , NOx 。
:2000-07-17;:2000-08-28
:(1964-), , , .
4 :YSZ 373
2
2.1 NASICON
NASICON :Na CO ∶ZrO ∶SiO NH H PO 1.5:2:2:1
2 3 2 2 4 2 4
210 ℃4h, 900 ℃5h, ,
300MPa Υ10mm , 1230 ℃15h 。Na O
2
, 。
NASICON X , NASICON 。
2.2 YSZ
YSZ, US GUN Ⅱ,
-4
, , 1.33×10 Pa,
0.67Pa。1015cm , Ar 。
RF 200300W ,, ,
, , 。
, XRD S-250MK3 (NH10000 )
、, SI1125HF Model 283A YSZ
。
2.3 NO2
YSZ NASICON
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