硅单晶电阻率测定方法.docVIP

前 言 本标准修改采用SEMI MF 84-1105《硅片电阻率测定四探针法》和SEMI MF 397-1106《硅棒电阻率测定两探针法》。 本标准与SEMI MF 84-1105和SEMI MF 397-1106相比，主要变化如下： ——方法1中厚度修正系数F（W/S）表格范围增加； ——按中文格式分方法1和方法2进行编排。 本标准代替GB/T 1551-1995《 硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》和GB/T 1552-1995《 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法》。 本标准与GB/T 1551-1995和GB/T 1552-1995相比，主要有如下变化： ——删除了锗单晶测定的相关内容； ——用文字描述代替了原标准GB/T 1551-1995和GB/T 1552-1995中的若干记录测试数据的表格； ——修改了方法1中计算公式； ——补充了干扰因素。 本标准由中国有色金属工业协会提出。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。 本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。 本标准主要起草人：李静、何秀坤、张继荣、段曙光。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T 1551-1995、GB/T 1552-1995； ——GB 1552-1979、GB 1551-1979、GB 5251-1985、GB 5253-1985、GB 6615-1986。 硅单晶电阻率测定方法 方法1：直排四探法 方法2：直流两探针法 范围 主题内容 本标准规定了用直排四探针和直流两探针两种方法测量硅单晶电阻率的方法。 适用范围 1.2.1 直排四探针法 该方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的最近距离二者均大于探针间距的４倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍、厚度小于探针间距４倍的硅单晶圆片的电阻率。 　　该方法规定了硅单晶电阻率的测量范围为1(10-3(.cm～3(103(.cm。 1.2.2直流两探针法 该方法适用于测量截面积均匀的圆形、方形或矩形硅单晶的电阻率。 　　该方法规定了硅单晶电阻率的测量范围为10-3(.cm～104(.cm 。试样长度与截面最大尺寸之比应不小于3:1。 引用标准 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款，凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 环境要求 环境温度为23℃(1℃,相对湿度不大于65%。 干扰因素 4.1 光照可能严重影响观察电阻率，特别是近似本征材料。因此，所有测试应在暗室进行，除非是待测样品对周围的光不敏感。 4.2 当仪器放置在高频干扰源附近时，测试回路中会引入虚假电流。因此仪器要有电磁屏蔽。 4.3 试样中电场强度不能过大，以避免少数载流子注入。如果使用的电流适当，则用该电流的两倍或一半时，引起电阻率的变化应小于0.5%。 由于电阻率受温度影响，一般测试适用温度为23℃(1℃。 对于厚度对测试的影响，仲裁测量要求厚度按本标准方法1中的8.3条规定测量，一般测量用户可以根据实际需要确定厚度的要求偏差。 由于探针压力对测量结果有影响，测量时应选择合适的探针压力。 仲裁测量时选择探针间距为1.59mm，非仲裁测量可选择其他探针间距。 5 详细要求 本标准采用独立编号方法，将两种测试方法列为： 方法１　　硅单晶电阻率测定直排四探针法 方法2 　　硅单晶电阻率测定直流两探针法 方法1 硅单晶电阻率测定直排四探针法 6　方法提要 排列成一直线的四根探针垂直地压在距离边缘6mm以上的平坦试样表面上，将直流电流I在两外探针间通入试样，测量内侧两探针间所产生的电势差V，根据测得的电流和电势差值，按式（1）计算电阻率。 对圆片试样还应根据几何修正因子进行计算。测量示意图见图1。 ………………………………………(1) 式中： (----电阻率，单位为欧姆﹒厘米（(.cm）； V----测得的电势差，单位为毫伏（mV）； I----通入的电流，单位为毫安（mA）； S----探针间距，单位为厘米（cm）。 图1 直排四探针测量示意图 7　测量仪器 7.1　探针装置由以下几部分组成。 7.1.1 　探针用钨、碳化钨或高速钢等金属制成，针尖呈圆锥型，夹角为45o～150o，尖端初始标称半径为25(m～50(m。 7.1.2　探针压力，每根探针压力为1.75N(0.25N或4.0N(0.5N，分别用于硅单晶棒的电阻率测量，也可选择其