分子束外延HgCdTe薄膜位错密度的研究.pdfVIP

　第 20 卷第 5 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 5　 V o l N o 　1999 年 5 月　　　　　　 　　　　　 　 , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ay 分子束外延 HgCdTe 薄膜 位错密度的研究 于梅芳　杨建荣　王善力　陈新强　乔怡敏　巫　艳　何　力 (半导体薄膜材料研究中心及红外物理国家重点实验室　中国科学院上海技术物理研究所　上海　200083) 韩培德 ( 中国科学院北京电子显微镜实验室　北京　100080) 摘要　 本文报道在晶格失配 GaA s 衬底上分子束外延H gCdT e 薄膜的位错密度研究结果. 用 位错腐蚀坑密度 ( ) 、 射线双晶衍射以及透射电子显微镜方法, 对 缓冲层以及 EPD X CdT e H gCdT e 薄膜的位错密度、其纵向分布及与工艺条件的相关关系进行了评价、分析. 研究发现 退火可以有效地降低H gCdT e 薄膜的位错密度. : 6855, 8155 , 6170 , 6170 , 8160 PACC G A G 1　引言 H gCdT e 中的位错对红外探测器的性能有十分大的影响. 理论与实验表明: 贯穿pn 结 位错的存在导致隧道电流增大; 位错作为少子复合中心具有电学活性[ 1, 2 ] , 通过 Shock ley ( ) 复合作用使材料的低温少子寿命大大降低, 从而降低器件零偏结阻抗 R ead H all SRH ( ) [ 3 ] R 0A 、增大器件噪声, 严重影响探测器性能 . 显然, 降低位错密度是红外探测器材料制备 技术中的关键问题之一. 为了获得较低的位错密度, 目前普遍采用与H gCdT e 晶格匹配的CdZnT e 单晶作为外 5 - 2 [ 4 ] 延生长的衬底, 其位错密度小于 5 ×10 cm . 但是由于CdZnT e 单晶制备的困难导致价格 昂贵, 高质量、大面积单晶难以获得以及与 Si 信号处理电路混成的热失配等问题, 在 Si 异 [ 5 ] 质衬底上外延生长H gCdT e 薄膜是目前的发展方向 . 本项研究采用 GaA s 单晶作为外延 H gCdT e 的衬底, 这是因为: GaA s 单晶相对比较成熟, 具有廉价、较高的晶体质量、大面积、 ( ) 表面处理技术成熟等特点; GaA s 单晶与 H gCdT e 晶格失配较大 失配度为 146% , 在 ( ) 　 国家自然科学基金 批准号 以及中国科学院资助项目 于梅芳　女, 1949 年出生, 高级工程师, 从事半