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InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响.pdf
第35卷第6期 发 光 学 报 V01．35No．6
2014年6月 CHINESE OFLUMINESCENCEJune．2014
JOURNAL
Article
ID：1000-7032(2014)06-0637-06
EffectofStrainDerivedfromEmbeddedInAs
DotsonThe of
Quantum TransportProperties
Two-dimensionalGasin
Modulation-doped
TIAN
Hai—ta01一，WANGLu¨，WENCai3，SHIZhen—WUl，
SUN Wen—xinl，CHEN
Qing—lin91，GAOHuai-ju2，WANG Hon91
Matter
National Condensed
(1．BeijingLaborut00for Physics，Institute∥’Physics，ChineseAcadem)’ofSciences，Being100190，China
Electrical and 300387，China；
2．Departmentof EngineeringAutomation，TianjinPolytechnicUnivensit)，Tianjin
3．School ExtremeConditionsMatter
ofScience，blboratoryJot Properties，
Southwest and
UniversityofScienceTeehnolog)，Mianyang621010，China)
女CorrespondingAuthor，E—mail：1wang@aphy．iph’．ac．cn
of InAs the oftwo—dimensional
Abstract：Effect
embeddingquantumdots(QDs)ontransportproperties gas(2．
a
DEG)in AIGaAs／GaAsheterostructurewas withdifferencethickness
modulation-doped investigated．Samples
to2-DEGwere molecularbeam measurementsshow themob-
(瓦)fromQDslayer preparedusing epitaxy．Hall that
with ofT
thedecrease theelectronconcentrationshowsasametrend．Straindistribu．
ilitydropsdramatically h，and
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