硅烷浓度对非晶2f微晶过渡区内材料和电池性能的影响.pdfVIP

·138· 中国太阳能光伏进展 硅烷浓度对非晶／微晶过渡区内材料和 电池性能的影响术 陈飞 张晓丹赵颖魏长春孙建耿新华 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300071 【摘要】 硅烷浓度是影响等离子体增强化学气相沉积硅薄膜材料特性的一个重要参 数。本文通过调节硅烷浓度，得到了系列位于非晶，微晶过渡区内的材料。研 究发现：在非晶，微晶过渡区内存在着一个特别的区域，该区域内的材料光敏 性比普通非晶硅高。以这部分材料作为太阳电池的本征层，通过优化电池结 构，在Sn02衬底上制备pin型太阳电池，电池的初始开路电压(Voc)达到 V。 了0．916 【关键词】 硅烷浓度过渡区太阳电池开路电压 InfluenceofSilaneConcentrationonTransitionMaterialsFrom To SiliconAndSolarCells Mic