《《IGBT 的驱动特性及功率计算》.docVIP

IGBT 的驱动特性及功率计算 1 IGBT 的驱动特性 1.1 驱动特性的主要影响因素 IGBT的驱动条件与IGBT的特性密切相关。设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和dv/dt 引起的误触发等问题。 栅极电压Uge增加（应注意Uge过高而损坏IGBT），则通态电压下降（Eon也下降），如图1所示(此处以200A IGBT为例)。由图1中可看出，若Uge固定不变时，导通电压将随集电极电流增大而增高，如图1a，电流容量将随结温升高而减少（NPT工艺正温度特性的体现）如图1b所示。 （a）Uge与Uce和Ic的关系 （b）Uge与Ic和Tvj的关系 图1 栅极电压Uge与Uce和Tvj的关系 栅极电压Uge直接影响 IGBT 的可靠运行，栅极电压增高时有利于减小IGBT的开通损耗和导通损耗，但同时将使IGBT能承受的短路时间变短（10μs以下），使续流二极管反向恢复过电压增大，所以务必控制好栅极电压的变化范围，一般Uge可选择在-10～+15 V之间，关断电压-10 V,开通电压+15 V。开关时Uge与Ig的关系曲线见图2 a和图2 b所示。 (a)开通时 (b)关断时 图2 开关时Uge与I的关系曲线 栅极电阻Rg增加，将使IGBT的开通与关断时间增加，使开通与关断能耗均增加,但同时，可以使续流二极管的反恢