《《IGBT绝缘栅双极型晶体管》.docVIP

IGBT 求助编辑百科名片 IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 目录 结构 工作特性静态特性 动态特性 方法 IGBT导通 IGBT关断 IGBT阻断与闩锁 发展历史 输出特性与转移特性 模块简介 等效电路IGBT模块的选择 使用中的注意事项 保管时的注意事项 结构 工作特性静态特性 动态特性 方法 IGBT导通 IGBT关断 IGBT阻断与闩锁 发展历史 输出特性与转移特性 模块简介 等效电路IGBT模块的选择 使用中的注意事项 保管时的注意事项 展开 编辑本段结构 　　 IGBT结构图 左边所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在