GaN6HSiC紫外探测器的光电流性质研究.pdfVIP

　第 19 卷第 3 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 3　 V o l N o 　1998 年 3 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ar 6 - 紫外探测器的光电流性质研究 GaN H SiC 臧　岚　杨　凯　张　荣　沈　波　陈志忠　陈　鹏　周玉刚　郑有　 (南京大学物理系　南京　210093) 黄振春 ( , 718, , 20771, ) NA SA Goddard Space F ligh t Center Code Greenbelt M D U SA 摘要　本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在 6H SiC 衬底上的 GaN 外延薄膜制 成的光导型紫外探测器的光电流性质. 通过对其光电流谱的测量, 获得了 GaN 探测器在紫外 波段从 250～ 365nm 近于平坦的光电流响应曲线, 并且观察到在～ 34eV 带边附近陡峭的截 止边, 即当光波长在从 365nm 变到 375nm 的 10nm 区间内, 光电流信号下降了 3 个数量级. 在 360 波长处, 我们测得 探测器在 5 偏压下光电流响应度为 133 , 并得到了其响应 nm GaN V A W 度与外加偏压的关系. 通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据, 我们获得了 GaN 探测器的响应时间及其与偏压的关系. PACC: 7240, 6855 1　引言 氮化镓(GaN ) 是一种宽禁带的直接带隙半导体. 由于它在微电子与光电子学领域的应 用潜力[ 1, 2 ] , 近年来成为半导体材料研究的新热点. GaN 作为高效率的蓝光与紫外光电发射 器件[ 3, 4 ] 的一种重要材料, 得到了广泛的研究和应用. 随着 GaN 基材料与器件制备工艺的发 展, 对于以前半导体技术所不能涉及的蓝光到紫外光这一波段区间, 现在得到了开发与利 用. GaN 材料有着很宽的直接带隙, 很高的击穿场强, 很高的热导率和非常好的物理、化学 稳定性, 使它适用于蓝光及紫外光发射器件, 紫外光电探测器和高温大功率管的研制. 由于 GaN 基材料外延技术的进步, 高质量的单晶 GaN 薄膜目前已经用各种制备方法获得, 其中 ( ) [ 5～ 8 ] ( ) [ 9 ] 包括金属有机物化学汽相沉积 M OCVD 和分子束外延 M BE . 光导型紫外探测 器[ 10, 13 ] , 蓝光发光二极管 ( ) [ 6 ] , 蓝光激光二极管 ( ) , 金属半导体场效应管 ( L ED s LD s M ES 臧　岚　男, 1973 年出生, 硕士研究生, 现从事 GaN 蓝光材料的光学性质的研究 杨　凯　男, 1971 年出生, 博士研究生, 主要从事 GaN 基蓝光半导体材料制备及其性质研究 张　荣　男,