半导体纳米器件的噪声模型及应用的研究.pdf

摘要 摘要 无论是研究电噪声现象，还是研究电噪声的应用，噪声机制的确定和模型的 建立都是必不可少的。 与常规器件相比，半导体纳米器件中的噪声既有相同点，又有新特点。半导 体纳米器件中热噪声和低频噪声的基本机制和基本模型，与微米器件中是一致的。 热噪声来源于载流子的热运动，低频噪声可以由相关粒子或结构的慢过程产生。 半导体纳米器件中的散粒噪声，来源于载流子的粒子性与运动的随机性，受到载 流子输运过程中相互作用的影响。与微米器件相比，纳米器件中的散粒噪声现象 Carlo 更复杂，也更有用。为了探索纳米器件中的散粒噪声现象，本文用Monte 方法研究了散粒噪声的产生机制。 本文针对半导体纳米器件的具体研究目’的，直接使用或改进已有噪声模型。 在这些模型基础上，进行了噪声特性分析或基于噪声的器件特性表征。结合课题 组的科研项目，利用器件物理和介观物理等理论，分别针对量子点接触(QPC)、 研究。这些结果会对相关半导体纳米器件的设计提供依据，并对其它半导体纳米 器件噪声建模与应用具有启发意义。 噪声模型，可以计算温度对电导和噪声的影响。提出了QPC本征灵敏度的表达式， 本征灵敏度与QPC本身的噪声平方根，及其与所检测环境的耦合电容成正比，与 微分跨导成反比。结合QPC结构的电容范围，估算了本征灵敏度，发现目前报道 模拟偏置的影响。 当自旋向上和自旋向下的电流彼此独立时，可以用自旋极化率描述自旋极化 状态，自旋晶体管是以Rashba自旋轨道耦合为基本原理的，自旋进动或者瞬时 的自旋翻转使两种自旋取向的电流不再独立，自旋极化率需要重新推导。在散射 理论的框架下，利用自旋密度矩阵推导出沿自旋量子化坐标的自旋极化率表达式， 并推导了自旋分辨电流和自旋分辨散粒噪声的表达式。进行了单通道的解析推导 轨道耦合系数三种条件下，完成了多通道的模拟以研究自旋极化率与Fano因子随 偏压等参数的变化规律，希望为自旋极化的全电学检测提供依据。 H 半导体纳米器件的噪声模型及其应用研究 高k栅栈MOSFETs多层统一噪声(MSUN)模型是目前比较主流的解析噪声模 型。但是，高k栅栈中的缺陷分布常常很复杂，并不是MSUN模型认为的在空间 上呈指数分布。将MSUN模型中对两层栅介质分别计算噪声分量的思想，推广到 按照陷阱分布进行分层。当层数较多时，针对所考察的频率范围引入一种有效的 化简方法。这种改进的低频噪声模型既能得到重要的定性结论用以指导高k栅栈 结构设计，又能用于噪声仿真和基于噪声拟合的缺陷分布表征。 最后，使用全计数统计学(FCS)理论对逆问题进行了探索，这一点与基于FCS 理论高阶累积量计算的通常作法不同。FCS理论是处理噪声问题的重要理论，但 是对FCS来说，噪声仅是一种二阶关联。论文基于FCS理论的互斥模型，针对 单势垒结构，提出了一种用多个高阶累积量对单势垒结构进行机理判断和参数识 别的方案，并用Monte Carlo模型进行了验证，对FCS的逆问题进行了一次简单 但具有启发意义的探讨。 关键词：散粒噪声低频噪声高k棚栈MOSFETs全计数统计学自旋晶体管 量子点接触 一．．一 垒!竺型 坐 Abstract Afull of mechanismsand modelsisvitalto understanding both generating precise oftheresearchandthe totheelectricalnoiseinnano．scale applications devices． with the