基于Matlab的晶体管IV特性分析.pdfVIP

基于 Matlab 的晶体管 I-V 特性分析 赵 哲 山东大学信息科学与工程学院 （250100） zhaozhe116@163.com [摘要] 晶体管的特性好坏，直接关系到电子电器中电路能否良好有效的运行，特别是对当今 快速发展的 IC设计，更是起到举足轻重的影响。本文简单介绍了晶体管的 I-V特性，并利用 功能强大的数学工具 Matlab 7.0对晶体管 I-V特性进行了分析，以期得到晶体管 I-V特性的 比较准确的结果，对晶体管及其相关研究有所帮助。 [关键字] 晶体管 I-V特性 Matlab 一、 引言 晶体管是电子电路中广泛应用的半导体器件，是设计制造集成电路的最重要的组成部分， 对电路能否正常工作的影响不言而喻。长期以来，对晶体管的特性的研究基本上集中在经验公 式、实验数据、测量曲线等，而通过严谨的科学计算对晶体管特性进行的普遍研究为数不多。 Matlab是 MathWorks 公司开发的高性能的数值计算和可视化的仿真软件，基于矩阵运算，集 数值计算、算法开发、图形显示等功能于一体，具有极强的计算功能和极高的编程效率，特别 适合于科学计算、数值分析、系统仿真和信号处理等任务。利用 Matlab 软件可以非常准确高 效地仿真晶体管的参数特征，基于 Matlab 的强大功能，对晶体管的 I-V特性给予分析，并用 图形界面直观地显示出来，以得到符合实际情况的的研究结果。 二、晶体管基本结构 晶体管是包含三个紧邻区域且相邻区域掺杂类型不同的半导体器件，其中较窄的中间区域 为基区，外层的两个区域为发射区和集电区，根据不同的掺杂类型分为 NPN 型和PNP 型如下图 所示。 发射区 基区 集电区 发射区 基区 集电区 N+ P N P+ N P NPN PNP 图一 NPN 和PNP 结构示意图 我们以 NPN 型晶体管为例，对其 I-V 特性进行分析。 三、晶体管特性分析 要分析载流子在晶体管内部的运动规律，建立晶体管的 I-V 特性与内部参数之间的关系， 严格地分析晶体管的每一个细节非常困难，需要做的工作量非常大，因此有必要采取一些假设 1 条件，以得到比较明确的结果。由于制造工艺等因素的影响，所制造的晶体管种类繁多，根据 基区掺杂情况，可有均匀基区晶体管和缓变基区晶体管等，现分述之。 （一） 均匀基区晶体管的 I-V 特性 首先采取如下假设： 1、 发射结和集电结都是理想的突变结，杂质在发射区、基区和集电区都是均匀分布。 2、 晶体管是一维的，发射结和集电结互相平行且结面积相等。 3、 外加电压全落在势垒区，势垒区外无电场，只考虑小注入。 4、 发射区和集电区宽度远大于少子扩散长度，晶体管两端的少子密度等于平衡值。 5、 势垒区宽度远小于少子扩散长度，忽略势垒区的复合作用。 利用以上假设，分析均匀基区晶体管内部的载流子运动规律，求出基区电子密度分布，导 出晶体管直流方程，以下简单分析。 一维情况下，基区电子分布符合载流子密度连续方程： d n b ( x ) 1 d J n b ( x ) n b ( x ) − n p b =− （1） d t q d x