双极运算放大器的辐射效应和退火特性.pdfVIP

　第 19 卷第 5 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 5　 V o l N o 　1998 年 5 月　　　　　　 　　　　　 　 , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ay 双极运算放大器的辐射效应和退火特性 陆　妩　任迪远　郭　旗　余学锋　范　隆　张国强　严荣良 ( 中国科学院新疆物理研究所　乌鲁木齐　830011) 摘要　本文介绍了O P 07 双极运算放大器的60Co 射线、不同能量电子和质子的辐照试验以 及60Co 和电子辐射损伤在室温和 100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参 数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并 对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60Co 和电子辐照损伤的差异进 行了探讨. 结果表明, 界面态的产生是60Co 和电子辐照损伤的主要原因, 而位移效应造成的体 损伤在质子辐照效应中占有重要地位. : 1220, 2570, 2550 EEACC A 1　引言 随着航天等科学技术的发展, 运算放大器作为一种基本的线性电路在卫星电子系统中 ( 日益得到广泛的应用. 众所周知, 在空间的辐射环境中存在着各种能量不同的带电粒子 主 ) 要是质子和电子 , 这些带电粒子与卫星中的电子元器件作用而产生各种辐射效应, 如电离 效应、位移效应以及单粒子效应等. 一般来说, 辐射效应的大小与入射粒子的种类、能量和强 度都有密切的关系, 因此, 深入了解运放电路在各种辐射条件下的变化规律及损伤特性, 对 系统地评价运算放大器电路的抗辐照水平, 特别是研究各种粒子对运放电路的损伤等效性 及其微观机制, 具有非常重要的意义. 国外从七十年代中期开始, 曾对几种型号的双极运放进行了总剂量辐照响应, 快、慢中 子辐照损伤机理, 高剂量率瞬态辐照及其加固工艺的研究[ 1～ 7 ] , 但这些研究都不够系统. 针 对国内外在运放辐照效应研究方面存在的某些不足和空白, 近年来, 我们系统地开展了不同 ( ) 类型 双极、 的运放电路在不同辐射环境中的响应规律及辐照特性的研究工作, 获得 CM O S 了许多有意义的成果. 本文在我们研究工作的基础上, 着重介绍了常用的O P 07 双极运算 放大器在不同射线粒子、不同能量及相同剂量率 (60 、1 、15 电子和 4 、 Co M eV M eV M eV ) 7 、30 质子 辐照条件下的响应规律和抗辐照能力; 探讨了引起双极运放在质子辐 M eV M eV 照环境中电参数衰变的损伤机制, 并通过研究其电离辐照敏感参数在室温和 100℃温度下 陆　妩　女, 1962 年出生, 高级工程师, 从事线性电路电离辐射效应、损伤机理和加固技术研究 任迪远　男, 1950 年出生, 研究员, 从事M O S 器件损伤机理和加固研究 郭　旗　男, 1964 年出生, 工程师, 从事集成电路辐射效应与测试技术研究 收到,定稿 5 期　 　　　　　　　陆　妩等: 　双极运算放大器的辐射效应和退火特性