运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应.pdfVIP

第 26 卷 　第 7 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 7 2005 年 7 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J uly ,2005 运算放大器不同剂量率的辐射损伤效应 陆 　妩 　任迪远 　郭 　旗 　余学峰 　艾尔肯 ( 中国科学院新疆理化技术研究所 , 乌鲁木齐 　8300 11) ( ) ( 摘要 : 对几种不同类型 T TL , CMO S ,J F E TBi , MO SBi 的典型星用运算放大器在不 同剂量率 100 , 10 , 1 及 ( ) ) 00 1rad Si / s 辐照下的响应规律及随时间变化的退火特性进行了研究. 结果显示不同类型运放电路的辐照响应 有明显差异 :双极运放电路辐照剂量率越小 ,其损伤越大 ; CMO S 运放电路对不同剂量率的响应并非线性关系 ,但 不同剂量率辐照损伤的差异 ,可以通过与低剂量率相同时间的室温退火得到消除 ,本质上仍然是与时间相关的效 应 ;J F E T 输入运放不仅有低剂量率辐照损伤增强效应存在 ,且辐照后还有明显的“后损伤”现象 ; PMO S 输入运放 的结果则表明 ,各辐照剂量率间的损伤无明显区别. 60 γ 关键词 : 运算放大器 ; Co 辐照 ; 退火 ; 剂量率效应 EEACC : 2570 ; 1220 中图分类号 : TN43 1 1 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 会出现低剂量率辐照损伤增强效应 ? 这一效应与哪 1 　引言 些因素有关 ? 它们与剂量率关系的基本机理是什么 等疑问, 目前国际上还没有一个统一的研究结果. 而 在空间辐射环境中,辐照总剂量的积累是一个 国内对这一方面 的研 究还很少 , 尚处于探索阶 比较缓慢的过程 ,其典型剂量率分布范围为 10 - 4 ～ 段[7 ,8 ] . 因此 ,为了对这些问题有更进一步的了解 , 10 - 2 rad ( Si) / s. 考虑到时间、经费等因素 ,实验室辐 特选用了航天领域广泛使用的 T TL ,CMO S ,J F E T 照试验根据美军标的要求 ,实际使用的典型辐照剂 Bi ,MO SBi 几种不同类型的运算放大器 ,进行了不 量率范围一般为 50 ～300rad ( Si) / s. 这种试验剂量 同剂量率的辐射损伤和退火特性的研究 ,发现由于 率与实际空间的差异 ,将有可能使得在实验室测试 运放电路制造工艺和电路结构的不同 ,其辐照损伤 评判方法得到的电子器件和 电路器件的抗辐照水 也有明显区别 ,本文主要介绍这一研究结果. 平 ,与在卫星 、空间站等小剂量率辐照环境下使用的 电子元器件的实际抗辐射能力严重不符 ,从而给卫 2 　实验 星 、空间站等电子系统的可靠性带来极大隐患. 许多 试验结果也证实了这种担心并非杞人忧天. 有研究 实验样品为典型的星用运算放大器电路 ,包括 报道 ,在 10 - 4 ～10 - 2 rad ( Si) / s 的剂量率范围内,与 双极