《201610236966-一种降低薄膜电池...-申请公开》.pdfVIP

SooPAT 一种降低薄膜电池漏电流的方法 及薄膜电池 申请号：200910236966.4 申请日：2009-10-29 申请(专利权)人北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼 发明(设计)人白志民 主分类号 H01L31/18(2006.01)I 分类号 H01L31/18(2006.01)I H01L31/075(2006.01)I 公开(公告)号102054896A 公开(公告)日2011-05-11 专利代理机构 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人 胡剑辉 王漪 注：本页蓝色字体部分可点击查询相关专利 (19)中华人民共和国国家知识产权局 *CN102054896A* (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 102054896 A (43)申请公布 日 2011.05.11 (21)申请号 200910236966.4 (22)申请 日 2009.10.29 (71)申请人 北京北方微电子基地设备工艺研究 中心有限责任公司 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥东路1 号 M5 楼 (72)发明人 白志民 (74)专利代理机构 北京安信方达知识产权代理 有限公司 11262 代理人 胡剑辉 王漪 (51) Int.C l. H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01) H01L 31/075 (2006.01) H01L 31/0216 (2006.01) 权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 2 页 (54) 发明名称 一种降低薄膜电池漏电流的方法及薄膜电池 (57) 摘要 本发明提供了一种降低薄膜电池漏电流的方 法，该方法是：在PIN 层上开设凹槽，该凹槽用于 沉积与透明导电极层相电连接的背电极层，所述 PIN 层包括沉积的P 型掺杂Si 层 ；在凹槽的侧壁 上沉积用于防止隧道电流从背电极层直接流入所 述PIN 层的P 掺杂Si 层的绝缘层。本发明还提 供一种薄膜电池，包括：透明导电极层、PIN 层、 凹槽、第一背电极层和第二背电极层 ；在所述凹 槽的侧壁上还依次沉积有绝缘层。本发明通过在 PIN 层的凹槽的侧壁上沉积绝缘层(优选采用SiN 和SiO2复合的绝缘层) 作为保护层，能够有效地 避免背电极到P 型掺杂Si 层的隧道电流，从而提 高短路电流和转化效率。 A 6 9 8 4 5 0 2 0 1 N C CN 102054896 A 权 利 要 求 书 CN 102054903 A 1/1 页 1. 一种降低薄膜电池漏电流的方法，其特征在于，该方法是： 在PIN 层上开设凹槽，该凹槽用于沉积与透明导电极层相电连接的背电极层，所述PIN 层包括沉积的P 型掺杂Si 层 ； 在凹槽的侧壁上沉积用于防止隧道电流从背电极层直接流入所述PIN 层的P 掺杂Si 层的绝缘层。 2. 如权利要求