射频LDMOS的击穿电压与静电保护.pdf

摘要 摘要 a_temlDifnlSedMetal0xideSeIIliconductorField 横向高压功率器件LDMOS(L E圩ectTransistor)以其高耐压、高增益、高跨导、宽动态范围、低失真和易于与低 压电路工艺兼容等优点，广泛应用于射频功率集成电路中。射频大功率LDM0s 由于具有P、L波段以上的工作频率和高的性价比而成为3G手机基站射频放大器 的首选器件。如今LDMos已经发展到了第五代，设计者们都在努力的通过改变 器件的结构或者工艺来提高器件的整体性能。因此，本文在频率特性和电学特性 满足使用要求的情况下，主要集中在可靠性的研究方面。 本文利用二维器件模拟软件IsE，建立了射频LDM0s器件的模型，比较了射 频LDMOS器件的击穿电压和衬底浓度、漂移区浓度、沟道区浓度的关系，分析 后，通过对各个参数的模拟比较，得到了优化的射频LDMOS结构，在大量模拟 实验的基础上，最终为射频LDMOS的设计奠定了数据基础。 射频LDMOs可靠性的研究主要从两个方面进行。一方面是从击穿电压方面 研究，击穿电压是射频LDMoS一个重要的电学参数，同时也是器件可靠性的一 个重要方面，我们主要从结构上进行调整，使器件的击穿电压满足使用要求，同 时分析了REsuI江技术原理，讨论了击穿电压和衬底浓度、漂移区浓度、沟道区 浓度的关系。另一方面是从EsD方面进行研究，由于静电放电引起的局部电热击 穿也是LDMOS可靠性关键的一个方面，在论文中主要讨论了电热击穿的基本机 理和在不增加器件尺寸的情况下不同的LDMOs结构在提高二次电流方面的作用。 我们在二维器件模拟软件ISE平台下，采用I冱SURF技术，提出了在器件内 和反应可靠性的雪崩击穿电压(B‰)和二次电流(昆)。文中重点讨论了 频率特性，最后给出器件的各个电学参数的模拟结果。在工作频率为1GHz、阈值 电压为3．8v且在不增加器件尺寸、并保持相同的漂移长度(2．7啪)和击穿电压 次电流见是普通LDMOs的7．5倍，并表现出优异的频率特性。 关键词：REsuRF雪崩击穿电压 ESCR-LDMoS静电放电 二次电流 Abstract Abstract La_teral deViceLDMOShas of high-voltagepower adv孤tageshi曲Voltage，la玛e distonionand gaill，high订a11sconductance，widedyn砌crange，low compatibili哆with circuit ismorcandmore usedin mdio low．voltageprocess．LDMoS widely power circllits．LDMOSisthe deVicellsed协the 舶quencyintegrated pref孤d RF锄pli丘er of3Gbases诅tio船becauseofits toPorLballd锄d hi曲operating丘equencyup mtio has to fifnl a_哳active the ofperfonnallcea11d面ce．Nowadays，LDMOsdeveloped t11eirbestto wbo】e generatioll，desjgnefs仃y