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中文摘要 GaN表面缺陷及其扩散的理论研究 凝聚态物理专业 研究生介伟伟 指导教师杨春 摘要：本论文选择基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，对GaN晶 Studio 体和极性表面的缺陷结构进行了模拟计算。所有的计算均采用Materials 4．O中的CASTEP软件包。 模型的能带结构、差分电子密度、电子态密度，详细讨论了不同空位缺陷对 GaN性能的影响。结果显示，带隙宽度随着Ga空位或N空位的增加不断增大， Ga空位是一种受主缺陷，N空位是施主缺陷；N空位的增加导致GaN电导率 的下降。 空位、N空位、Ga替代N、N替代Ga、Ga间隙、N间隙)进行了理论研究。 电子局域函数显示了表面缺陷电子密度变化，表面Ga原子空缺处有非常明显 的缺电子区域，悬挂键临近N的电子密度增大，有利于对金属原子的吸附。N 原子空缺处的Ga原子，其ELF值为0．16．0．45，有利于同电负性较大的原子结 合。通过分析VGa和VN缺陷表面的态密度，发现：VN缺陷导致费米能级向高 能导带移动得到n型GaN(施主)，VGa缺陷引起了费米能级向价带方向移动 是受主缺陷。 通过分析点缺陷对表面结构的影响，发现：空位缺陷对晶格结构影响较小； 使周围N原子自发地与Nc,a原子团聚；间隙Ga原子的存在使表面层Gal原子 弛豫到了真空层。通过计算各点缺陷形成能的大小得N-Ga间隙缺陷比N间 隙缺陷更容易形成，在富N条件下，虽然VGa和vN均容易出现，但No，Gao 中文摘要 缺陷较容易出现。 同时我们也计算了GaN(ooOi)表面空位缺陷的形成能，结果显示：无论在 富镓或富氮氛围下暴露在最表面的N空位缺陷是最容易形成的。DOS图显示： N空位促使费米能级向导带方向移动，VN是施主缺陷。 最后，采用分子动力学的方法对表面N空位缺陷的扩散进行了模拟。 关键词：GaN密度泛函理论 点缺陷 表面结构 扩散 H Abstract TheoreticalofGaNsurfacedefectsand study point di髓sion Matter Major：CondensedPhysics Wei-wei Chun Postgraduate：JieSupervisor：Yang Abstract：Inthisthesis．theoreticalofthenative defectsinGaN study point bulkand surfaceshavebeen the basedon spin investigatedbyusingfirst—principles the Functional calculationsaleusedthe of Density Theory．All Castep package Materials4．0． Studio electronicstructuresof andnative defectsinGaN