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摘要 Si基表面吸附BT0初期粒子的理论研究 专业：凝聚态物理 研究生：王婷霞 指导教师：杨春 期多粒子碰撞反应是薄膜形成的关键过程。本文利用密度泛函理论中的广义梯 Studio 吸附生长过程作了理论研究。所有计算均采用Materials4．0中的DMol3 和CASTEP两个软件包来完成。 BTO薄膜生长初期存在一个Ba、O、Ti粒子共存的高真空沉积气氛，计算 这些粒子碰撞反应机理及其中间体的形成机理后，获得了相应中间体的几何结 构、过渡态及反应活化能，并运用前线轨道理论分析了BTO分子形成的机理。 研究表明在BTO薄膜生长初期会以Ti02分子为中心，结合BaO分子成核生长， 并经由类似于BTO单原胞中的钛酸钡分子结构形成大量的具有钙钛矿结构雏 形的BTo原胞。 采用从头计算分子动力学方法。模拟计算得到吸附过程的运动轨迹及每个时刻 的能量，并找出每个阶段的吸附能。通过吸附能大小的比较，发现Ti02优先于 BaO分子在驰豫的Si基表面发生吸附，说明生长将以Ti02为中心。 子在Si基表面的吸附过程作了具体的成键分析，发现BaO分子的吸附过程中， O原子与基底表面的Si原子结合后，Ba·o键发生断裂；而Ti02分子的吸附 过程中，Si原子先与其中一个O原子结合，再与Ti原子结合，形成以Ti为中 心的稳定四面体结构。这些分析结果都与动力学过程相一致。 摘要 最后，对于BTO分子在Si基表面的吸附情况，我们结合前面研究的BTO 原胞形成机理，并对比分析BaO和Ti02分子吸附过程，得出这样的猜测：基 底表面si原子先与BTO分子中的两个O原子吸附，再与Ti原子发生结合，而 BTO分子中剩下的～个O原子将在孤电子对的作用下靠近Ba原子，形成类似 于金刚体的稳定结构。 关键词：钛酸钡铁电薄膜反应机理活化能吸附硅从头计算动力学 Ⅱ Abstract Theoreticalabout ofBTOunit study particles primary cell on adsorptionSi(001)surface Matter Major：CondensedPhysics Graduate Chun Student：WangTingXia Suervisor：Yang Abstractoutthe the of microcosmicreactionsand Finding processes particle statesinthe of filmsis forthe earlygrowthBaTi03(BTO)thinveryimportant andcontrolof inthe BTO structure of thinfilms．The preparation good growth reacton of