《北京暑期学校-麦振洪-lecture-4》.pdfVIP

LIGA 利用同步辐射获得 了边缘陡直、深宽 比高达100的光刻胶 X射线光刻 结构,充分体现了同 步辐射在微加工技 术中的优越性能. 0.1-0.3微米X射线光刻技术实用化研究 0.1-0.3 取得重要进展 中科院微电子中心成功 地研制出栅长0.15微米 的毫米波单元器件。在 取得技术全面突破的基 础上，研究重点转向以 毫米波单片集成电路 （MMIC ） 制作为目标 的实用化工艺技术研 究，在器件光刻的一些 关键工艺和关键技术上 取得了突破。成功地刻 TXRF技术分析Si片