激光制备ctisio5基高频介质陶瓷的研究.pdfVIP

摘要 摘 要 高频介质陶瓷材料在现代功能陶瓷材料中占有非常重要的地位，具有广泛 的用途。高频介质陶瓷材料在高频(1MHz)下的介质损耗低、介电常数温 度系数范围宽，广泛用作陶瓷电容器的电介质。根据介电常数温度系数可 分为两大类：一类是热补偿电容器介质陶瓷材料。热补偿电容器介质陶瓷 具有较大的负介电常数温度系数，如CaTi03、Ti02等。热补偿电容器主要 用在振荡回路里，以补偿回路电感元件的正温度系数，使回路谐振频率保 持不变或变化很小。另一类是热稳定电容器介质陶瓷材料，其介电常数温 gl／3Nb2／3)03、 作的高稳定电容器广泛应用于移动通讯、卫星通讯、精密仪器和军用雷达 l ￡∥82，tan≈4x0q，ae列：25x 适当的摩尔比(0．82：0．18)进行复合也能够获得具有介电性能的复合材料， 即较高介电常数、较低的介质损耗和接近于零的介电常数温度系数。 随着现代通讯技术的迅猛发展，陶瓷电容器也向小型化、大容量方面发展， 而介电常数大、介质损耗小的介质陶瓷是制造高性能陶瓷电容器的前提条件。 激光烧结技术在制备新材料和提高材料性能方面，显示出独特的优势。本工作 采用X射线衍射(XRD)、