硅基半导体氧化锌薄膜的研究.pdfVIP

硅基半导体上氧化锌薄膜的研究 摘要 采用溶胶凝胶法和脉冲激光沉积法，在晶向为(100)的P型半导体硅 性，并采用扫描电子显微镜和正电子湮没技术研究其显微组织、电子密度 和微观缺陷，获得的主要实验结果如下： (1)利用溶胶凝胶法在P型硅上制备的ZnO薄膜，在光的照射下，产 生了光生伏特效应。Zno—Si太阳能电池的输出电压随着恒定光源的距离的 减小而增大。 ZA0薄膜的导电性能比ZnO薄膜好。 (3)用扫描电子显微镜观察不同方法制备的ZnO薄膜的表面，发现用 脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜，ZnO颗粒较小，薄膜的致密性较好；而 溶胶凝胶法制成的ZnO薄膜，膜的均匀度较差。 (4)对于掺硼的P型Si基半导体，随着掺B量的增加，样品电阻率 减小，正电子寿命增大。这是由于在P型单晶硅半导体中空穴占主导地位， 掺B量增加，空穴浓度升高，电阻率降低。但是自由电子在P型单晶硅半 导体中是少数载流子，掺B量增加，半导体中的自由电子浓度减小，导致 半导体中的电子与正电子湮没概率减小，正电子寿命增大。 浓度高，导电性好。 9．8×10。嘶c处出现一个峰，主要是正电子与硼的2p电子湮没的贡献。纯金 属锌的商谱有一个较高且较宽的峰，主要是正电子与锌的3d电子湮没