磁控溅射掺氧化锌(azo)薄膜及其在多晶硅太阳电池上的应用.pdfVIP

摘要 掺趾的ZnO薄膜(简称AZO)不但制备简单、价格低廉、无毒无害而且 具有透明、导电等优良特性。本文试图将AZO这些特性用于多晶硅半导体太阳 电池制备中，希望能降低电池的成本、提高电池的性能。本文主要的工作和成果 如下： 1．研究了室温下工艺条件(溅射功率、氩气流量)对AZO薄膜电学、光学、 结构、表面形貌等性质的影响，获得AZO薄膜制备的最佳工艺条件：溅射功率 150W，氩气流量60secm(气体压强为0．6Pa)。 2．研究了退火对磁控溅射AZO薄膜性能的影响。在N：氛围中的退火，发现 退火对此条件溅射的AZO薄膜的透射光学性质影响不大，在可见光区域透射率 均在90％左右。 3．首次研究了形成AZO薄膜与Ⅳ型Si欧姆接触的机理和条件。结果发现 AZO薄膜与圹型Si的比接触电阻先随温度升高而降低，当退火温度大于550℃ 后比接触电阻又提高；比接触电阻先随着退火时间的增加而降低，超过7．5min 后又提高。最佳退火条件为N：氛围中，550℃下退火7．5min，所获得最低比接触 电阻为7．32x10’4Q-cm2。此工作申请了一件发明专利，并正式发表一篇论文。 4．研究了AZOm+．Si同型异质结的能带图，并用隧穿模型对其欧姆接触的形 成机理