递归格林函方法研究低维碳纳米材料的能带.pdfVIP

直塞蛭蒸太堂亟±堂筐迨塞 摘要 一 一 ．纳米碳材料，是介观物理研究领域发现的一种新型材料，也是当前凝聚态物 理学研究的热点之一。因为量子限制效应，纳米碳材料显现出与众不同的电学性 质与光学性质，在纳米器件的制造工业中具有巨大的应用前景。 本文主要应用递归格林函数方法研究具有周期性结构的碳纳米材料的电子 结构。 首先我们研究两种典型边界结构——锯齿型边界、扶手型边界石墨纳米条带 的能带结构。所得结论都与前人的研究结果相符，在该方法的基础上，我们同时 也采用硬壁(hard 了理论分析。在采用递归格林函数方法研究半导体性的AGNRs时，我们发现在 能隙处存在复能带结构，对该电子耗散态的穿透深度做了初步的计算。 ． 墨纳米带的能带电子结构：发现层数的叠加，会使得每一层纳米条带的能带曲线 相互交叠分布。层数的叠加，对于半导体性质的结构会减小其能隙的大小，而对 于金属性的AGNRs，导致能带曲线在费米能