非晶硅薄膜阳电池光电转换效率的数值研究.pdfVIP

摘要 a-Si：H材料因原子结构的长程无序使其成为准直接带隙材料，其光吸收系数比晶体硅大得多， 是太阳电池理想的光吸收材料。但a-Si：H材料大量的悬挂键等缺陷态和难以克服的光致衰退效应 等成为发展非晶硅材料的主要障碍。 为深入理解a．Si：H材料的能带结构等因素对光生载流子的产生、输运、复合等微观过程的影 用数值模拟的方法，茗EAMPS-1D程序环境下，对其进行理论计算。主要研究了非晶硅薄膜太阳电 池本征i层厚度、前端接触、带尾态对太阳电池转换效率的影响。通过模拟分析，我们得出以下结 论： 1、当非品硅薄膜太阳电池的i层厚度在200nm--400nm时，电池处丁最高的T作状态。 2、非晶硅薄膜太阳电池的转换效率随带尾态特征能量、带尾态密度的增大而降低。当ED≤ -1：作状态。 3、非晶硅薄膜太阳电池转换效率随前端接触ITO功函数的的增大而增大，当ITO的功函数在 4．8曲L石．1eV时，电池的光电转换效率最大。 关键词：非晶硅，太降i能电池，能带结构，转换效率 Abstract A-Si：Hmaterialsbecome materialsduetothe of quasi-directband-gap atomicstructurethe hasa levelof thanthe silicon is disorder，which andit long-range higher opticalabsorptioncrystalline theidealsolar numberof bonddefectandthe light material．However,a absorption large dangling effectsof recessionhavebecomea obstacleto unconquerable the of light-induced major development siliconmaterial． amorphous For oftheinfluence bandstructureon ofcausod in-depth understanding of@nergy micro-process and thesisestablishesthetheoreticalmodelof bylight-carrier compound,the generation,transportation a-Si：Hthin-fiImsolarcellbasedOIlthe structureandMort-Davismodelandfurtheroarriesout pin theoreticalcalculationsofnumericalsimulationintheenvironmentofAMPS—lD byway program．It the siliconthin-fillsolarcellintrinsic contacts analys